低阻高TCR非晶硅薄膜制备及性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·非晶硅薄膜及其器件应用 | 第10-16页 |
| ·非晶硅薄膜概况 | 第10-11页 |
| ·常用制备方法介绍 | 第11-14页 |
| ·非晶硅薄膜的应用 | 第14-16页 |
| ·非晶硅薄膜的掺杂和气体稀释 | 第16-20页 |
| ·非晶硅薄膜的掺杂 | 第16-18页 |
| ·非晶硅薄膜的气体稀释 | 第18-20页 |
| ·非晶硅薄膜的后处理 | 第20-22页 |
| ·常规高温退火 | 第20-21页 |
| ·金属诱导退火 | 第21-22页 |
| ·粒子束辐照改性 | 第22页 |
| ·选题意义、研究内容及技术路线 | 第22-24页 |
| ·选题意义 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23页 |
| ·技术路线 | 第23-24页 |
| 第二章 非晶硅薄膜制备及性能表征 | 第24-34页 |
| ·非晶硅薄膜的生长机制 | 第24-26页 |
| ·薄膜制备及后处理 | 第26-29页 |
| ·PECVD 工艺简介 | 第26-27页 |
| ·薄膜制备 | 第27-28页 |
| ·后处理 | 第28-29页 |
| ·非晶硅薄膜结构分析方法 | 第29-31页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第29-30页 |
| ·激光拉曼(Raman)光谱分析 | 第30页 |
| ·傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析 | 第30-31页 |
| ·非晶硅薄膜光电性能测试方法 | 第31-34页 |
| ·电学测试 | 第31-32页 |
| ·光学分析 | 第32-34页 |
| 第三章 氢气对非晶硅薄膜性能的影响 | 第34-55页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·氢气对薄膜结构的影响 | 第34-43页 |
| ·XRD 分析 | 第34-36页 |
| ·Raman 分析 | 第36-40页 |
| ·FTIR 分析 | 第40-43页 |
| ·氢气对薄膜光学性能的影响 | 第43-50页 |
| ·折射率与消光系数研究 | 第45-47页 |
| ·光学带隙研究 | 第47-49页 |
| ·紫外-可见光光谱分析 | 第49-50页 |
| ·氢气对薄膜电学性能的影响 | 第50-54页 |
| ·室温暗电阻率 | 第51-53页 |
| ·电阻温度系数(TCR)研究 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 真空退火对非晶硅薄膜性能的影响 | 第55-63页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·薄膜微结构 | 第55-56页 |
| ·薄膜厚度和折射率 | 第56-58页 |
| ·薄膜电学性能 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 非晶硅器件化应用工艺研究 | 第63-67页 |
| ·引言 | 第63页 |
| ·专用圆形电极设计 | 第63-64页 |
| ·膜厚均匀性研究 | 第64-65页 |
| ·电学性能研究 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 结论和展望 | 第67-69页 |
| ·工作总结 | 第67-68页 |
| ·展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-76页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第76-77页 |
