微压力传感器的设计与制作工艺研究
摘要 | 第1-11页 |
ABSTRACT | 第11-12页 |
第一章 引言 | 第12-20页 |
·关于微电子机械系统(MEMS) | 第12-16页 |
·MEMS的兴起和特点 | 第12-13页 |
·MEMS的研究方面及应用前景 | 第13-16页 |
·关于微压力传感器 | 第16-19页 |
·微压力传感器现状及发展趋势 | 第16-17页 |
·典型微压力传感器简介 | 第17-19页 |
·本课题的主要任务及章节安排 | 第19-20页 |
·课题来源 | 第19页 |
·课题研究的意义 | 第19页 |
·主要任务及章节安排 | 第19-20页 |
第二章 电容式、谐振式微压力传感器相关设计 | 第20-31页 |
·电容式微压力传感器中间膜片的结构设计及仿真 | 第20-25页 |
·电容式微传感器的结构原理 | 第20-21页 |
·差压式微电容中心膜片的设计 | 第21-24页 |
·硅E形岛膜片的ANSYS仿真方法 | 第24-25页 |
·谐振式微压力传感器谐振子结构设计 | 第25-31页 |
·微谐振式压力传感器原理 | 第25-27页 |
·谐振梁压力传感器谐振器结构设计 | 第27-31页 |
第三章 微压阻式压力传感器的设计 | 第31-41页 |
·相关理论基础 | 第31-36页 |
·压阻效应 | 第31-32页 |
·压阻系数 | 第32-34页 |
·挠度理论 | 第34-36页 |
·压敏电阻的设计 | 第36-37页 |
·微传感器芯片设计 | 第37-41页 |
·硅杯结构与材料的选定 | 第37页 |
·硅杯几何尺寸的确定 | 第37-38页 |
·溅射电阻条取向与位置的确定 | 第38-41页 |
第四章 几种MEMS加工工艺研究 | 第41-56页 |
·PECVD制备氮化硅薄膜相关工艺 | 第41-46页 |
·原理介绍及氮化硅薄膜概述 | 第41-42页 |
·相关工艺参数影响 | 第42-46页 |
·SiO_2和Cr的ICP刻蚀技术 | 第46-50页 |
·ICP原理介绍 | 第46-47页 |
·SiO_2 的刻蚀 | 第47-48页 |
·Cr电阻的刻蚀 | 第48-50页 |
·硅的各向异性湿法腐蚀工艺 | 第50-56页 |
·实验方法 | 第51页 |
·实验结果及分析 | 第51-55页 |
·结论 | 第55-56页 |
第五章 压阻式微压力传感器的制作 | 第56-67页 |
·芯片的制作 | 第56-61页 |
·硅片的热氧化 | 第56-57页 |
·溅射铬膜 | 第57-58页 |
·双面甩胶、光刻显影 | 第58-59页 |
·ICP刻蚀SiO_2氧化层 | 第59页 |
·ICP(或湿法)腐蚀形成电阻 | 第59页 |
·湿法腐蚀硅腔形成薄膜 | 第59-60页 |
·引线 | 第60-61页 |
·信号的测试 | 第61-67页 |
·电路测量原理及改进的测量电路 | 第61-63页 |
·测试电路搭建 | 第63-65页 |
·测试结果 | 第65-67页 |
第六章 结论和展望 | 第67-70页 |
·全文工作总结 | 第67-68页 |
·未来工作展望 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-73页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第73页 |