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pH-ISFET生物传感器集成化设计的研究

摘要第1-9页
Abstract第9-10页
插图索引第10-12页
第1章 绪论第12-19页
 1.1 ISFET传感器简介第13-16页
  1.1.1 ISFET器件结构第13-14页
  1.1.2 pH-ISFFET的敏感机理第14页
  1.1.3 器件特性第14-15页
  1.1.4 器件种类第15-16页
 1.2 研究现状第16-18页
  1.2.1 敏感材料的选择第16页
  1.2.2 ISFET与 CMOS工艺兼容性的研究第16-17页
  1.2.3 集成化设计的研究第17-18页
 1.3 本文研究目的及内容第18-19页
第2章 pH-ISFET的敏感机理第19-29页
 2.1 电解液绝缘体半导体(E-I-S)系统表面基理论简介第19-21页
 2.2 E-I界面表面基/复合中心模型理论第21-25页
  2.2.1 单种两性表面基情形第21-22页
  2.2.2 两种类型表面基情形第22-23页
  2.2.3 E-1界面电荷与电势关系第23-25页
 2.3 模拟计算及结果第25-27页
  2.3.1 E-I-S系统方程组第25-26页
  2.3.2 模拟计算结果第26-27页
  2.3.3 结果讨论第27页
 2.4 小结第27-29页
第3章 pH-ISFET行为模型的建立第29-38页
 3.1 MOSFET元件第29-30页
 3.2 ISFET元件第30-33页
  3.2.1 ISFET的阈值电压第30-31页
  3.2.2 电流电压特性第31-32页
  3.2.3 温度特性第32-33页
 3.3 ISFET等效电路第33页
 3.4 SPICE模型的描述第33-36页
  3.4.1 模型参数的确定第33-34页
  3.4.2 模型描述第34-36页
 3.5 HSPICE模拟及结果讨论第36-37页
  3.5.1 pH灵敏度响应第36页
  3.5.2 温度特性第36-37页
 3.6 小结第37-38页
第4章 pH-ISFET传感器的 CMOS工艺实现第38-45页
 4.1 CMOS工艺概述第38-39页
 4.2 与 CMOS工艺相匹配的“三明治”栅pH-ISFET第39-41页
 4.3 实验测量及其结果第41-44页
  4.3.1 测量系统第42-43页
  4.3.2 测量结果第43-44页
 4.4 小结第44-45页
第5章 信号读取电路的设计第45-63页
 5.1 ISFET读取电路形式概述第45-48页
  5.1.1 “差分对管”结构形式第45-46页
  5.1.2 “漏源跟随”结构形式第46-48页
 5.2 硅衬底“体效应”第48页
 5.3 “ISFET/MOSFET互补对”读取电路形式第48-53页
  5.3.1 栅极反馈形式第49-52页
  5.3.1 源极反馈形式第52-53页
 5.4 运算放大器电路的设计第53-59页
  5.4.1 设计指标第53页
  5.4.2 电路结构第53-58页
  5.4.3 运算放大器整体性能分析第58-59页
 5.5 仿真分析第59-62页
  5.5.1 电路仿真模型第59页
  5.5.2 运放交流小信号分析第59-60页
  5.5.3 运放转换速率分析第60-61页
  5.5.4 运放共模抑制比分析第61页
  5.5.5 运放温度扫描分析第61-62页
 5.6 小结第62-63页
第6章 pH-ISFET及信号读取电路的版图设计及验证第63-69页
 6.1 设计工具简介第63页
  6.1.1 版图编辑工具(Layout Editor)第63页
  6.1.2 物理验证工具-Assura第63页
 6.2 绘制版图第63-66页
  6.2.1 生成技术库文件第64页
  6.2.2 ISFET敏感元件的版图第64页
  6.2.3 运算放大器版图的绘制第64-66页
 6.3 版图验证及后仿真第66-68页
  6.3.1 直流传输特性分析第66-67页
  6.3.2 运放交流小信号分析第67-68页
  6.3.3 灵敏度分析第68页
 6.4 小结第68-69页
结论第69-71页
参考文献第71-74页
致谢第74-75页
附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录)第75页

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