| 1 概述 | 第1-13页 |
| ·感应加热的现状 | 第9-10页 |
| ·感应加热电源的发展趋势 | 第10-11页 |
| ·课题的目的、任务及意义 | 第11-13页 |
| ·课题的研究背景 | 第11页 |
| ·课题的目的及任务 | 第11-13页 |
| 2 主电路选择与设计 | 第13-24页 |
| ·主电路拓扑结构选择 | 第13-15页 |
| ·主电路开关器件的选择和使用 | 第15-20页 |
| ·开关器件的选择 | 第15-18页 |
| ·功率MOSFET安全工作区 | 第18-20页 |
| ·负载参数设计 | 第20-24页 |
| ·品质因数(Q值)的选择： | 第20-21页 |
| ·补偿电感线圈的匹配 | 第21页 |
| ·补偿电容的匹配 | 第21-24页 |
| 3 MOSFET外围电路研究及参数设计 | 第24-42页 |
| ·驱动电路的研究 | 第24-34页 |
| ·功率MOSFET开关过程分析： | 第24-28页 |
| ·高频功率MOSFET对驱动电路的要求 | 第28-29页 |
| ·栅极有效电容的计算及驱动电流的确定 | 第29-31页 |
| ·驱动电路的设计 | 第31-34页 |
| ·缓冲电路研究及参数设计 | 第34-39页 |
| ·几种通用的缓冲电路 | 第34-36页 |
| ·谐振极电容缓冲器的参数设计 | 第36-39页 |
| ·控制电路研究 | 第39-40页 |
| ·散热片的选取 | 第40-42页 |
| 4 功率WOSFET器件的使用 | 第42-72页 |
| ·功率MOSFET的结构与工作原理 | 第42页 |
| ·功率MOSFET允许功耗计算： | 第42-46页 |
| ·允许功耗PD | 第42-44页 |
| ·占空比D对PD的影响： | 第44页 |
| ·多脉冲情况下，瞬时功耗承受能力的确定 | 第44-46页 |
| ·功率MOSFET在电路中的应用 | 第46-47页 |
| ·线路引线电感的计算 | 第47-48页 |
| ·功率场效应晶体管的并联应用 | 第48-72页 |
| ·导致功率MOSFET并联时电流不均的内外部因素分析 | 第48-56页 |
| ·并联元件个数的确定： | 第56-59页 |
| ·改善并联电流分配不均的措施： | 第59页 |
| ·双管并联仿真分析： | 第59-64页 |
| ·实验验证： | 第64-72页 |
| 5 逆变系统总体设计及全文总结 | 第72-79页 |
| ·系统总体框图 | 第72-73页 |
| ·逆变器工作状态仿真分析 | 第73-74页 |
| ·逆变器工作容量的提高 | 第74-76页 |
| ·全文总结 | 第76-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 论文发表情况 | 第84页 |