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用于无线局域网的SiGe BiCMOS功率放大器关键技术研究

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
第一章 绪论第13-30页
   ·研究背景第13-18页
   ·WLAN中功放技术的研究现状第18-23页
     ·GaAs功放技术现状第18-19页
     ·CMOS功放技术现状第19-20页
     ·SiGe BiCMOS功放技术现状第20-22页
     ·SiGe BiCMOS功放设计面临的挑战第22-23页
   ·本文的主要工作第23-24页
   ·本文的组织结构第24-25页
 参考文献第25-30页
第二章 射频功率放大器技术概述第30-51页
   ·功率放大器的主要性能指标第30-34页
   ·功率放大器的分类第34-39页
     ·电流模式功率放大器第34-37页
     ·开关模式功率放大器第37-39页
   ·射频功率放大器的线性化技术第39-44页
   ·射频功率放大器的效率提高技术第44-46页
   ·射频功率放大器的频率稳定性第46-48页
   ·本章小结第48页
 参考文献第48-51页
第三章 SiGe BiCMOS功放关键部件研究与设计第51-86页
   ·功率HBT的阻抗匹配第51-52页
   ·功放的Loadpull负载牵引特性第52-54页
   ·国内某0.18μm SiGe BiCMOS工艺的功率器件第54-56页
   ·功率单元Power Cell设计第56-71页
     ·Volterra级数分析第56-57页
     ·基本功率单元的结构与性能影响第57-58页
     ·热平衡的布局优化第58-60页
     ·功率单元几何结构设计第60-62页
     ·测试结果与分析第62-71页
   ·键合线模型研究第71-83页
     ·理论分析第72-73页
     ·键合线物理模型建立第73-74页
     ·仿真分析与参数提取第74-79页
     ·键合线测试第79-83页
   ·本章小结第83页
 参考文献第83-86页
第四章 2.4GHz单片全集成SiGe BiCMOS功放设计第86-104页
   ·WLAN 802.11b/g协议的发射功率要求第86-87页
   ·SiGe BiCMOS功放热稳定性分析与电路设计第87-92页
     ·热稳定性与镇流电阻的影响第87-91页
     ·温度稳定性设计第91-92页
   ·动态偏置线性度提高设计第92-94页
   ·2.4GHz集成功率放大器的电路设计第94-96页
   ·2.4GHz集成功率放大器的后仿真结果第96-100页
   ·本章小结第100页
 参考文献第100-104页
第五章 双频段线性SiGe BiCMOS功放设计第104-124页
   ·双频段功放设计基本思想第105-106页
   ·双频段功放效率和线性度提升设计第106-109页
     ·理论依据第106-107页
     ·功率控制电路设计第107页
     ·变容二极管自适应线性化设计第107-109页
   ·双频段线性功率放大器的电路设计第109-115页
     ·双频段匹配网络设计第111-112页
     ·射极退化与多键合线技术第112-115页
   ·双频段功率放大器的后仿真结果第115-121页
   ·本章小结第121-122页
 参考文献第122-124页
第六章 SiGe BiCMOS功放测试及分析第124-138页
   ·功率放大器测试系统第124-125页
   ·2.4GHz全集成功放在片测试与分析第125-128页
   ·双频段线性功放COB测试与分析第128-136页
   ·本章小结第136页
 参考文献第136-138页
第七章 总结与展望第138-141页
   ·论文工作总结第138-139页
   ·下一步工作展望第139-141页
攻读博士期间发表的文章和专利申请第141-143页
 1. 已发表的论文第141页
 2. 申请的发明专利第141-143页
附录A 缩写表第143-146页
附录B 论文中的图、表清单第146-151页
致谢第151页

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