摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-13页 |
第一章 绪论 | 第13-30页 |
·研究背景 | 第13-18页 |
·WLAN中功放技术的研究现状 | 第18-23页 |
·GaAs功放技术现状 | 第18-19页 |
·CMOS功放技术现状 | 第19-20页 |
·SiGe BiCMOS功放技术现状 | 第20-22页 |
·SiGe BiCMOS功放设计面临的挑战 | 第22-23页 |
·本文的主要工作 | 第23-24页 |
·本文的组织结构 | 第24-25页 |
参考文献 | 第25-30页 |
第二章 射频功率放大器技术概述 | 第30-51页 |
·功率放大器的主要性能指标 | 第30-34页 |
·功率放大器的分类 | 第34-39页 |
·电流模式功率放大器 | 第34-37页 |
·开关模式功率放大器 | 第37-39页 |
·射频功率放大器的线性化技术 | 第39-44页 |
·射频功率放大器的效率提高技术 | 第44-46页 |
·射频功率放大器的频率稳定性 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48页 |
参考文献 | 第48-51页 |
第三章 SiGe BiCMOS功放关键部件研究与设计 | 第51-86页 |
·功率HBT的阻抗匹配 | 第51-52页 |
·功放的Loadpull负载牵引特性 | 第52-54页 |
·国内某0.18μm SiGe BiCMOS工艺的功率器件 | 第54-56页 |
·功率单元Power Cell设计 | 第56-71页 |
·Volterra级数分析 | 第56-57页 |
·基本功率单元的结构与性能影响 | 第57-58页 |
·热平衡的布局优化 | 第58-60页 |
·功率单元几何结构设计 | 第60-62页 |
·测试结果与分析 | 第62-71页 |
·键合线模型研究 | 第71-83页 |
·理论分析 | 第72-73页 |
·键合线物理模型建立 | 第73-74页 |
·仿真分析与参数提取 | 第74-79页 |
·键合线测试 | 第79-83页 |
·本章小结 | 第83页 |
参考文献 | 第83-86页 |
第四章 2.4GHz单片全集成SiGe BiCMOS功放设计 | 第86-104页 |
·WLAN 802.11b/g协议的发射功率要求 | 第86-87页 |
·SiGe BiCMOS功放热稳定性分析与电路设计 | 第87-92页 |
·热稳定性与镇流电阻的影响 | 第87-91页 |
·温度稳定性设计 | 第91-92页 |
·动态偏置线性度提高设计 | 第92-94页 |
·2.4GHz集成功率放大器的电路设计 | 第94-96页 |
·2.4GHz集成功率放大器的后仿真结果 | 第96-100页 |
·本章小结 | 第100页 |
参考文献 | 第100-104页 |
第五章 双频段线性SiGe BiCMOS功放设计 | 第104-124页 |
·双频段功放设计基本思想 | 第105-106页 |
·双频段功放效率和线性度提升设计 | 第106-109页 |
·理论依据 | 第106-107页 |
·功率控制电路设计 | 第107页 |
·变容二极管自适应线性化设计 | 第107-109页 |
·双频段线性功率放大器的电路设计 | 第109-115页 |
·双频段匹配网络设计 | 第111-112页 |
·射极退化与多键合线技术 | 第112-115页 |
·双频段功率放大器的后仿真结果 | 第115-121页 |
·本章小结 | 第121-122页 |
参考文献 | 第122-124页 |
第六章 SiGe BiCMOS功放测试及分析 | 第124-138页 |
·功率放大器测试系统 | 第124-125页 |
·2.4GHz全集成功放在片测试与分析 | 第125-128页 |
·双频段线性功放COB测试与分析 | 第128-136页 |
·本章小结 | 第136页 |
参考文献 | 第136-138页 |
第七章 总结与展望 | 第138-141页 |
·论文工作总结 | 第138-139页 |
·下一步工作展望 | 第139-141页 |
攻读博士期间发表的文章和专利申请 | 第141-143页 |
1. 已发表的论文 | 第141页 |
2. 申请的发明专利 | 第141-143页 |
附录A 缩写表 | 第143-146页 |
附录B 论文中的图、表清单 | 第146-151页 |
致谢 | 第151页 |