| 内容提要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| §1．1 铁电薄膜的研究概况 | 第8-15页 |
| 1．1．1 铁电薄膜的发展简史及最新进展 | 第9-11页 |
| 1．1．2 铁电薄膜的制备技术 | 第11-14页 |
| 1．1．3 铁电薄膜的应用 | 第14-15页 |
| §1．2 铁电场效应晶体管的研究进展 | 第15-18页 |
| 1．2．1 FFET的存储机制 | 第15-16页 |
| 1．2．2 FFET的研究概况 | 第16-18页 |
| §1．3 本文研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 钛酸铋铁电薄膜的制备 | 第19-38页 |
| §2．1 引言 | 第19-20页 |
| §2．2 BTO铁电薄膜的制备 | 第20-24页 |
| 2．2．1 钛酸铋前驱体溶液的制备 | 第20-22页 |
| 2．2．2 衬底的清洗 | 第22-23页 |
| 2．2．3 薄膜的制备 | 第23-24页 |
| §2．3 BTO薄膜退火处理工艺研究 | 第24-36页 |
| 2．3．1 退火处理工艺简介 | 第24-25页 |
| 2．3．2 不同退火温度对晶体结构的影响 | 第25-29页 |
| 2．3．3 薄膜晶粒尺寸与退火温度的关系 | 第29-36页 |
| 2．3．4 退火工艺对BTO薄膜表面形貌的影响 | 第36页 |
| §2．4 小结 | 第36-38页 |
| 第三章 钛酸铋薄膜铁电性能的研究 | 第38-49页 |
| §3．1 引言 | 第38页 |
| §3．2 BTO铁电薄膜电滞回线的测量及分析 | 第38-45页 |
| 3．2．1 电滞回线 | 第38-39页 |
| 3．2．2 电滞回线的测量及分析 | 第39-45页 |
| §3．3 BTO/p-Si的I-V曲线测量及分析 | 第45-48页 |
| 3．3．1 MFS结构漏电流产生原因 | 第45-46页 |
| 3．3．2 BTO／p-Si的I-V特性 | 第46-48页 |
| §3．4 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 钛酸铋铁电薄膜的C-V特性研究 | 第49-61页 |
| §4．1 引言 | 第49页 |
| §4．2 MFS结构C-V特性的物理分析 | 第49-56页 |
| 4．2．1 理想MFS结构C-V特性 | 第49-54页 |
| 4．2．2 电荷注入铁电薄膜的MFS结构的C-V特性分析 | 第54-55页 |
| 4．2．3 MFS结构C-V特性与存储机制 | 第55-56页 |
| §4．3 实际MFS结构的C-V特性研究 | 第56-60页 |
| 4．3．1 MFS结构的C-V特性测量 | 第56-60页 |
| 4．3．2 退火温度对记忆窗口大小的影响 | 第60页 |
| §4．4 小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 作者发表的论文 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |