| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·SiGe基底MOS场效应晶体管研究背景和现状简介 | 第10-14页 |
| ·MOS场效应晶体管(MOS-FETs)简介 | 第10-11页 |
| ·SiGe基底的优点与缺点 | 第11-13页 |
| ·SiGe基底MOS场效应晶体管研究意义与现状 | 第13-14页 |
| ·高介电栅介质材料的研究背景和现状 | 第14-18页 |
| ·传统SiO_2栅介质材料的局限性 | 第14页 |
| ·高介电栅介质材料的选择标准及常见候选材料体系简介 | 第14-16页 |
| ·铪基栅介质材料体系研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文研究工作目的、意义和内容 | 第18-22页 |
| 第二章 薄膜制备、微结构观测分析和电学性能测试 | 第22-30页 |
| ·常见薄膜制备工艺和技术 | 第22-24页 |
| ·射频磁控溅射系统及原理介绍 | 第22-23页 |
| ·薄膜厚度和沉积速率的标定 | 第23-24页 |
| ·薄膜形貌及微结构表征方法 | 第24-27页 |
| ·X射线衍射分析(XRD)原理简介 | 第24页 |
| ·原子力显微镜(AFM)原理简介 | 第24-25页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)原理简介 | 第25页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)原理简介 | 第25-26页 |
| ·X射线光电子能谱仪(XPS)原理简介 | 第26-27页 |
| ·MOS电容器结构电学性能表征 | 第27-30页 |
| ·MOS电容器结构的电容-电压特性曲线测量与分析 | 第27-29页 |
| ·MOS电容器结构漏电流密度-电压特性曲线测量 | 第29-30页 |
| 第三章 Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2栅介质薄膜的电学性能 | 第30-38页 |
| ·HfO_2薄膜的沉积以及Ag/HfO_2/Si_(83)Ge_(17)/Si(AHS)电容器结构的制备 | 第30-31页 |
| ·SiGe基片的清洗与表面处理 | 第30-31页 |
| ·HfO_2薄膜的沉积与AHS电容器结构的制备 | 第31页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜的XRD物相分析 | 第31-32页 |
| ·HfO_2薄膜介电常数的测量与分析 | 第32-33页 |
| ·不同衬底和退火处理对HfO_2薄膜电学性能的影响 | 第33-37页 |
| ·沉积在Si_(83)Ge_(17)/Si(100)衬底上HfO_2薄膜退火处理前后的电学性能分析 | 第33-36页 |
| ·沉积在Si_(83)Ge_(17)/Si和Si衬底上HfO_2薄膜电学性能的对比 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜微结构与界面反应动力学研究 | 第38-46页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜微结构观测分析 | 第38-43页 |
| ·不同功率溅射沉积在Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜表面形貌的SEM观测分析 | 第38-40页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜表面形貌的AFM观测分析 | 第40-41页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si与Si衬底上HfO_2薄膜界面的HRTEM观测分析 | 第41页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜成分的XPS深度剖析 | 第41-43页 |
| ·HfO_2/Si_(83)Ge_(17)/Si薄膜界面反应动力学研究 | 第43-45页 |
| ·硅酸铪标准吉布斯形成自由能的计算 | 第43页 |
| ·HfO_2/Si_(83)Ge_(17)/Si薄膜界面反应动力学研究 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜室温弱铁磁性的研究 | 第46-62页 |
| ·引言 | 第46-50页 |
| ·常见固体磁性材料的基本特性和分类 | 第46-48页 |
| ·非磁氧化物纳米薄膜的弱铁磁性研究现状 | 第48-50页 |
| ·本章工作的研究目的和内容 | 第50页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜的室温铁磁性研究 | 第50-54页 |
| ·薄膜的制备条件及后处理过程 | 第50-51页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜磁性的测量 | 第51页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜的室温铁磁性研究 | 第51-54页 |
| ·不同后退火处理后Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜的微结构观测分析 | 第54-60页 |
| ·不同后退火处理后薄膜样品表面形貌的SEM观测分析 | 第54-56页 |
| ·不同后退火处理后薄膜界面微结构的TEM观测分析 | 第56-57页 |
| ·不同后退火处理后薄膜界面成分的XPS观测分析 | 第57-59页 |
| ·不同后退火处理后薄膜界面微结构的动力学变化过程 | 第59-60页 |
| ·Si_(83)Ge_(17)/Si衬底上HfO_2薄膜的弱铁磁性来源分析 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论与展望 | 第62-66页 |
| 参考文献 | 第66-78页 |
| 硕士期间发表论文及参加学术活动情况 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
