| 中文摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-33页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·有机场效应晶体管的发展历史及研究现状 | 第14-17页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的结构 | 第17-18页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的工作原理 | 第18-20页 |
| ·有机场效应材料 | 第20-25页 |
| ·p型有机半导体材料 | 第20-24页 |
| ·n型有机半导体材料 | 第24-25页 |
| ·双极型有机半导体材料 | 第25页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的制备技术 | 第25-27页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第27-28页 |
| ·有机场效应晶体管的发展趋势 | 第28页 |
| ·本论文的主要内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第二章 吲哚[3,2-B]咔唑类衍生物的设计、合成和表征 | 第33-49页 |
| ·分子设计 | 第33-34页 |
| ·实验部分 | 第34-47页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第34-35页 |
| ·化合物合成路线 | 第35-38页 |
| ·中间体和最终产物 | 第38-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第三章 吲哚[3,2-B]咔唑类衍生物的物理化学性质 | 第49-60页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·实验测试仪器 | 第49页 |
| ·光学性质 | 第49-54页 |
| ·热分析 | 第54-55页 |
| ·电化学性质 | 第55-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第四章 吲哚[3,2-B]咔唑类衍生物的晶体结构 | 第60-78页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·晶体结构测试仪器 | 第60页 |
| ·化合物ICZB的晶体生长与晶体结构测定 | 第60-66页 |
| ·化合物ICZB的晶体生长 | 第60页 |
| ·化合物ICZB的晶体结构测定 | 第60-63页 |
| ·化合物ICZB的晶体结构讨论 | 第63-66页 |
| ·化合物28TICZ的晶体生长与晶体结构测定 | 第66-70页 |
| ·化合物28TICZ的晶体生长 | 第66页 |
| ·化合物28TICZ的晶体结构测定 | 第66-68页 |
| ·化合物28TICZ的晶体结构讨论 | 第68-70页 |
| ·化合物ICZF的晶体生长与晶体结构测定 | 第70-75页 |
| ·化合物ICZF的晶体生长 | 第70页 |
| ·化合物ICZF的晶体结构测定 | 第70-73页 |
| ·化合物ICZF的晶体结构讨论 | 第73-75页 |
| ·化合物2TICZ的堆积结构 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第五章 吲哚[3,2-B]咔唑类衍生物的薄膜场效应管性能 | 第78-93页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管器件的制备 | 第78-79页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管性能及影响因素 | 第79-90页 |
| ·有机薄膜的生长原理 | 第79-81页 |
| ·有机薄膜场效应晶体管的性能 | 第81-86页 |
| ·有机薄膜器件的影响因素 | 第86-90页 |
| ·结果与讨论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 致谢 | 第95-96页 |
| 攻读硕士学位期间完成的论文 | 第96-97页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第97页 |
