| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·阻变存储器的基本结构 | 第11-14页 |
| ·具有阻抗变化现象的薄膜材料 | 第14-15页 |
| ·阻抗变化现象的机理分析 | 第15-16页 |
| ·NiO 的结构 | 第16-17页 |
| ·NiO 薄膜的研究现状 | 第17-21页 |
| ·磁控溅射(Mganertnosputetring) | 第18-20页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD) | 第20页 |
| ·其他方法 | 第20-21页 |
| ·论文技术路线及方案 | 第21-22页 |
| 第二章 NiO 薄膜的制备方法及表征原理 | 第22-34页 |
| ·氧化镍薄膜的制备方法 | 第22-25页 |
| ·氧化镍薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)以及系统简介 | 第23-24页 |
| ·PLD 制膜原理 | 第24-25页 |
| ·PLD 设备系统简介 | 第25页 |
| ·薄膜微结构的表征 | 第25-31页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-29页 |
| ·原位反射式高能电子衍射 | 第29-31页 |
| ·薄膜电学性能的测试方法 | 第31-34页 |
| ·阻变存储器结构的选择 | 第31-33页 |
| ·薄膜I-V 性能的测试 | 第33-34页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上生长 NiO 薄膜的工艺研究 | 第34-43页 |
| ·靶材的制备及 NiO 薄膜的沉积 | 第34-37页 |
| ·靶材的制备 | 第34-35页 |
| ·靶材的分析 | 第35-36页 |
| ·NiO 薄膜的沉积 | 第36-37页 |
| ·沉积温度对 NiO 薄膜微结构的影响 | 第37-40页 |
| ·NiO 薄膜的 XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·NiO 薄膜的 RHEED 分析 | 第38-40页 |
| ·氧分压对 NiO 薄膜微结构的影响 | 第40-42页 |
| ·NiO 薄膜的 XRD 分析 | 第40-41页 |
| ·NiO 薄膜的 AFM 分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 Pt 电极对 NiO 薄膜微结构的影响研究 | 第43-51页 |
| ·Pt 电极的制备 | 第43-45页 |
| ·电极材料的选取 | 第43-44页 |
| ·在蓝宝石衬底上制备 Pt 底电极 | 第44-45页 |
| ·Pt 底电极对 NiO 薄膜结构的影响 | 第45-50页 |
| ·沉积温度对 NiO/Pt 薄膜微结构的影响 | 第46-47页 |
| ·氧分压对 NiO/Pt 薄膜微结构的影响 | 第47-48页 |
| ·激光能量对 NiO/Pt 薄膜微结构的影响 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 NiO 薄膜的电学性能研究 | 第51-57页 |
| ·不同沉积参数对 NiO 薄膜的 I-V 性能影响 | 第51-55页 |
| ·沉积温度对 NiO 薄膜 I-V 性能的影响 | 第51-53页 |
| ·氧分压对 NiO 薄膜 I-V 性能的影响 | 第53-54页 |
| ·激光能量对 NiO 薄膜 I-V 性能的影响 | 第54-55页 |
| ·NiO 薄膜阻抗变化现象的分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 主要结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第64-65页 |
