| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| ·红外技术及红外探测器 | 第9-11页 |
| ·硫化铅红外探测器发展现状与趋势 | 第11-12页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 PbS 薄膜的基本理论及实验测试方法 | 第13-32页 |
| ·PbS 薄膜的基本理论 | 第13-17页 |
| ·PbS 薄膜的微结构与光电性能测试方法 | 第17-25页 |
| ·PbS 红外探测器及其信号检测电路原理 | 第25-32页 |
| ·PbS 红外探测器的原理 | 第25-28页 |
| ·PbS 红外探测器信号检测电路原理 | 第28-32页 |
| 第三章 PbS薄膜的制备工艺研究 | 第32-46页 |
| ·PbS 薄膜的制备 | 第32-37页 |
| ·基片浸入时机分析 | 第37-38页 |
| ·PbS 薄膜的微结构分析 | 第38-42页 |
| ·SC(NH_2)_2浓度对薄膜表面形貌的影响分析 | 第42-46页 |
| ·玻璃基片上SC(NH_2)_2浓度对薄膜的影响分析 | 第42-43页 |
| ·SI 基片上SC(NH_2)_2 浓度对薄膜的影响分析 | 第43-44页 |
| ·陶瓷基片上 SC(NH_2)_2浓度对薄膜的影响分析 | 第44-46页 |
| 第四章 PbS 薄膜的红外光敏性能研究 | 第46-57页 |
| ·SC(NH_2)_2浓度对PbS 红外光敏性能的影响 | 第46-49页 |
| ·薄膜的方块电阻 | 第49-51页 |
| ·薄膜的伏安特性及光照响应时间 | 第51-52页 |
| ·薄膜的电阻温度关系 | 第52-54页 |
| ·红外探测器的制备 | 第54-57页 |
| ·PbS 红外光敏电阻的制备 | 第54-55页 |
| ·信号处理电路的设计 | 第55-56页 |
| ·红外火焰探测器试制 | 第56-57页 |
| 第五章结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
