| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 IGBT器件建模的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 IGBT模块封装电路模型的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 IGBT模块的基本结构和工作原理 | 第13-22页 |
| 2.1 IGBT模块的基本结构 | 第13-16页 |
| 2.1.1 IGBT芯片内部结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 IGBT模块封装结构 | 第14-16页 |
| 2.2 IGBT模块基本特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 静态特性 | 第16-17页 |
| 2.2.2 动态特性 | 第17-19页 |
| 2.3 IGBT的主要技术参数 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 基于双极扩散方程的IGBT芯片物理模型 | 第22-44页 |
| 3.1 基于硅材料的半导体物理基础理论 | 第22-28页 |
| 3.1.1 本征载流子浓度和掺杂 | 第22-24页 |
| 3.1.2 载流子在半导体中的运动 | 第24-27页 |
| 3.1.3 PN结的形成及特性 | 第27-28页 |
| 3.2 IGBT芯片物理模型 | 第28-34页 |
| 3.2.1 IGBT物理模型建立 | 第28-30页 |
| 3.2.2 IGBT芯片内部等效电路模型 | 第30-32页 |
| 3.2.3 IGBT载流子电流计算 | 第32-33页 |
| 3.2.4 双极扩散方程(ADE) | 第33-34页 |
| 3.3 IGBT芯片物理模型的仿真求解及实验验证 | 第34-43页 |
| 3.3.1 向后差分法 | 第34-37页 |
| 3.3.2 基于ADE方程的IGBT芯片物理模型的实验验证 | 第37-41页 |
| 3.3.3 模型优化—完美匹配法 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 IGBT模块内部寄生参数的提取 | 第44-57页 |
| 4.1 IGBT模块封装结构 | 第44-45页 |
| 4.2 IGBT模块寄生参数提取原理 | 第45-51页 |
| 4.2.1 串并联谐振理论 | 第45-46页 |
| 4.2.2 二端口网络理论 | 第46-49页 |
| 4.2.3 寄生参数提取原理 | 第49-51页 |
| 4.3 IGBT封装结构寄生参数提取和仿真结果 | 第51-56页 |
| 4.3.1 提取IGBT封装电路中寄生电感 | 第51-54页 |
| 4.3.2 提取IGBT封装电路中的寄生电容 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |