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双曲/抛物σ-发展型方程研究

致谢第1-8页
摘要第8-10页
Abstract第10-13页
目录第13-17页
第一章 绪论第17-27页
   ·变系数发展型方程的物理背景第17-20页
     ·电磁波模型(Electromagnetic wave model)第17-18页
     ·线性弹性振动模型(Linear elastic vibration model)第18-20页
   ·微局部分析发展简介第20-21页
   ·震荡系数型强双曲σ-发展方程解的正则性估计第21-22页
   ·震荡衰退系数型弱双曲σ-发展方程解的正则性估计第22-24页
   ·电磁场中结构性阻尼系统的高阶能量估计第24-25页
   ·一类抛物型σ-发展方程的非平衡控制理论第25-27页
第二章 拓广拟微分算子理论第27-41页
   ·拓广象征类简介第27-33页
     ·第一类拓广象征类第27-29页
     ·第二类拓广象征类第29-31页
     ·第三类拓广象征类第31-32页
     ·拓广象征的渐进展开第32-33页
   ·R~N上拓广拟微分算子的概念及性质第33-36页
     ·拓广拟微分算子的引入第33-35页
     ·拓广拟微分算子代数第35页
     ·主象征的引入第35-36页
   ·其他流形上拟微分算子的概念及性质第36-41页
第三章 合流超几何函数在解的正则性讨论中的应用第41-51页
   ·特殊函数的引入及其重要性质第41-44页
     ·Г函数及ψ函数第41-42页
     ·合流超几何函数第42-44页
   ·有限阶退化型系数类弱双曲方程解的正则性讨论第44-47页
     ·定理简要证明第45-47页
   ·无限阶退化型系数类弱双曲方程解的正则性讨论第47-51页
     ·定理简要证明第48-51页
第四章 震荡系数型强双曲σ-发展方程解的正则性估计第51-79页
   ·正则性定理介绍第51-56页
     ·震荡系数型算子模型的引入第51-53页
     ·主要正则性定理第53-55页
     ·典型震荡系数例子第55-56页
   ·正则性定理详细证明第56-64页
     ·低频区域及拟微分区域估计第57-59页
     ·发展型区域估计第59-63页
     ·最优拟合第63-64页
   ·正则性估计的最优性检验第64-79页
     ·σ∈R_+,[0,T]×T上的反例第64-70页
     ·σ=1,[0,T]×R上的反例第70-79页
第五章 震荡衰退系数型弱双曲σ-发展方程解的正则性估计第79-109页
   ·正则性定理介绍第79-84页
     ·震荡衰退系数型算子模型的引入第79-80页
     ·主要正则性定理第80-83页
     ·典型衰退及震荡系数例子第83-84页
   ·正则性定理详细证明第84-96页
     ·拟微分区域估计第86-90页
     ·双曲区域Ⅰ区估计第90-91页
     ·双曲区域Ⅱ区估计第91-95页
     ·最优拟合第95-96页
   ·正则性估计的最优性检验第96-109页
     ·σ ∈R_+,[0,T]×T上的反例第96-103页
     ·σ=1,[0,T]×R上的反例第103-109页
第六章 电磁场中结构性阻尼系统的高阶能量衰减估计第109-121页
   ·高阶能量衰减定理介绍第109-111页
   ·常系数型结构性耗散系统证明第111-113页
   ·严格递减系数型结构性耗散系统证明第113-115页
   ·严格递增系数结构性耗散系统证明第115-121页
     ·拟微分区域中的估计第116-117页
     ·双曲区域Ⅰ区中的估计第117-118页
     ·双曲区域Ⅱ区中的估计第118-120页
     ·最优拟合第120-121页
第七章 一类抛物型σ-发展方程的非平衡控制理论第121-133页
   ·非平衡控制理论介绍第121-124页
     ·抛物型σ-发展方程模型的引入第121-122页
     ·带边光滑流形上拟微分算子的定义及本章主要定理介绍第122-124页
   ·定理7.1.2的详细证明第124-133页
第八章 问题和展望第133-135页
参考文献第135-145页
简历第145-147页
发表和录用的文章目录第147页

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