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新型锡氧化物及其复合材料的合成与光催化性能研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
Abstract第7-8页
1 绪论第15-30页
    1.1 引言第15页
    1.2 半导体光催化的基本原理第15-16页
    1.3 影响半导体光催化剂活性的因素第16-20页
        1.3.1 半导体本身性质的影响第17-18页
        1.3.2 反应条件的影响第18-20页
    1.4 提高光催化性能的方法第20-23页
        1.4.1 金属离子掺杂第20页
        1.4.2 非金属离子掺杂第20页
        1.4.3 半导体复合材料第20-23页
    1.5 新型光催化剂——四氧化三锡及复合材料的研究进展第23-27页
    1.6 本课题的研究目的和主要研究内容第27-30页
2 多级结构Si掺杂的Sn_3O_4纳米花的制备及其光催化性能第30-43页
    2.1 引言第30页
    2.2 实验部分第30-33页
        2.2.1 实验试剂第30-31页
        2.2.2 多级结构Si掺杂的Sn_3O_4纳米花的制备第31页
        2.2.3 表征方法第31-32页
        2.2.4 光催化性能测试第32-33页
    2.3 实验结果与讨论第33-41页
        2.3.1 XRD分析第33-34页
        2.3.2 Raman光谱分析第34-35页
        2.3.3 比表面积及孔径分析第35页
        2.3.4 UV-vis漫反射光谱分析第35-37页
        2.3.5 EDS与XPS分析第37-38页
        2.3.6 SEM和TEM分析第38-40页
        2.3.7 可见光下光催化活性分析第40-41页
    2.4 机理研究第41-42页
    2.5 本章小结第42-43页
3 TiO_2/Sn_3O_4异质结纳米球的制备及其紫外、可见光催化性能第43-58页
    3.1 引言第43-44页
    3.2 实验部分第44-47页
        3.2.1 实验试剂第44-45页
        3.2.2 实验步骤第45页
        3.2.3 表征方法第45-46页
        3.2.4 光催化性能测试第46-47页
    3.3 实验结果与讨论第47-56页
        3.3.1 XRD分析第47-48页
        3.3.2 Raman光谱分析第48-49页
        3.3.3 比表面积及孔径分析第49-50页
        3.3.4 UV-vis漫反射光谱分析第50-51页
        3.3.5 XPS分析第51-53页
        3.3.6 SEM和TEM分析第53-54页
        3.3.7 紫外和可见光下光催化活性分析第54-56页
    3.4 机理研究第56-57页
    3.5 本章小结第57-58页
4 Sn_3O_4/BiOX (X=Cl,Br,I)纳米复合材料的制备及其光催化性能研究第58-83页
    4.1 引言第58-60页
    4.2 实验部分第60-64页
        4.2.1 实验试剂和仪器第60-61页
        4.2.2 实验步骤第61-62页
        4.2.3 表征方法第62页
        4.2.4 光催化性能测试第62页
        4.2.5 活性物种的检测第62-63页
        4.2.6 电化学性能测试第63-64页
    4.3 实验结果与讨论第64-78页
        4.3.1 XRD分析第64-65页
        4.3.2 Raman光谱分析第65-66页
        4.3.3 UV-vis漫反射光谱分析第66-67页
        4.3.4 比表面积及孔径分析第67-69页
        4.3.5 XPS分析第69-70页
        4.3.6 SEM和TEM分析第70-72页
        4.3.7 光催化性能第72-78页
    4.4 机理研究第78-82页
    4.5 本章小结第82-83页
5 结论与展望第83-86页
    5.1 结论第83-84页
    5.2 论文的主要创新点第84-85页
    5.3 展望第85-86页
附图第86-90页
参考文献第90-107页
作者简历及在学研究成果第107-111页
学位论文数据集第111页

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