摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-7页 |
第1章 绪论 | 第12-30页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 太阳能电池理论简介 | 第13-17页 |
1.2.1 太阳能电池基本原理 | 第13-14页 |
1.2.2 影响太阳能电池的品质因素 | 第14-16页 |
1.2.3 太阳能电池分类 | 第16-17页 |
1.3 硅基太阳能电池产业背景 | 第17-18页 |
1.4 硅基太阳能电池面临的主要问题 | 第18-21页 |
1.4.1 电池效率有待进一步提升 | 第18-19页 |
1.4.2 光学能量损失较大 | 第19-20页 |
1.4.3 电池制备成本相对较高 | 第20-21页 |
1.5 微纳陷光技术在太阳能电池中的应用 | 第21-25页 |
1.5.1 钝化发射极背部局域扩散(PERL)电池 | 第21-22页 |
1.5.2 纳米线阵列 | 第22-23页 |
1.5.3 纳米锥阵列 | 第23-24页 |
1.5.4 纳米微球阵列 | 第24-25页 |
1.6 课题来源与全文结构 | 第25-27页 |
1.6.1 课题来源 | 第25-26页 |
1.6.2 全文结构 | 第26-27页 |
1.7 参考文献 | 第27-30页 |
第2章 玻璃表面凹坑阵列结构的制备及其关键技术讨论 | 第30-69页 |
2.1 引言 | 第30-31页 |
2.2 玻璃刻蚀的两种基本方法 | 第31-32页 |
2.2.1 HF腐蚀法 | 第31-32页 |
2.2.2 反应离子刻蚀法(RIE) | 第32页 |
2.3 光刻掩膜板的设计与加工 | 第32-36页 |
2.4 实验制备基本工艺与流程 | 第36-48页 |
2.4.1 基本制备工艺与设备简介 | 第36-39页 |
2.4.2 制备工艺流程及结果 | 第39-48页 |
2.5 玻璃表面制备凹坑阵列结构的关键技术 | 第48-67页 |
2.5.1 掩膜工艺 | 第48-53页 |
2.5.2 紫外光刻时间 | 第53页 |
2.5.3 显影工艺的控制 | 第53-55页 |
2.5.4 离子束刻蚀金属种子层 | 第55-57页 |
2.5.5 HF刻蚀工艺 | 第57-67页 |
2.6 小结 | 第67页 |
2.7 参考文献 | 第67-69页 |
第3章 表面凹坑阵列结构提升硅薄膜太阳能电池效率 | 第69-99页 |
3.1 引言 | 第69-70页 |
3.2 表面凹坑阵列结构在硅薄膜太阳能电池中的应用 | 第70-75页 |
3.2.1 表面陷光结构与太阳能电池的结合方式 | 第70-71页 |
3.2.2 凹坑阵列结构硅薄膜太阳能电池的制备 | 第71-73页 |
3.2.3 凹坑阵列结构硅薄膜太阳能电池的光反射特性 | 第73-74页 |
3.2.4 凹坑阵列结构硅薄膜太阳能电池的光伏特性 | 第74-75页 |
3.3 凹坑阵列在太阳能电池中的陷光机理分析 | 第75-88页 |
3.3.1 凹坑阵列结构的数学模型 | 第75-77页 |
3.3.2 凹坑阵列结构的表面陷光机理 | 第77-85页 |
3.3.3 凹坑阵列结构陷光特性的实验验证 | 第85-88页 |
3.4 不同深宽比凹坑阵列结构陷光特性的FDTD模拟 | 第88-96页 |
3.4.1 FDTD仿真模型的建立 | 第88-92页 |
3.4.2 FDTD模拟结果 | 第92-96页 |
3.5 小结 | 第96-97页 |
3.6 参考文献 | 第97-99页 |
第4章 表面凸包阵列结构提升硅薄膜太阳能电池效率 | 第99-121页 |
4.1 引言 | 第99-100页 |
4.2 表面凸包阵列结构的制备 | 第100-104页 |
4.2.1 PDMS材料简介 | 第100-101页 |
4.2.2 PDMS浇注工艺流程 | 第101-102页 |
4.2.3 结果与分析 | 第102-104页 |
4.3 表面凸包阵列结构在太阳能电池中的应用 | 第104-106页 |
4.4 凸包阵列结构在太阳能电池中的陷光机理 | 第106-115页 |
4.4.1 凸包阵列结构的数学模型 | 第106-107页 |
4.4.2 凸包阵列结构的陷光机理分析 | 第107-112页 |
4.4.3 凸包阵列结构陷光特性的实验验证 | 第112-115页 |
4.5 不同深宽比凸包阵列光学特性的FDTD模拟 | 第115-118页 |
4.5.1 FDTD仿真模型的建立 | 第115页 |
4.5.2 FDTD仿真模拟结果 | 第115-118页 |
4.6 小结 | 第118-119页 |
4.7 参考文献 | 第119-121页 |
第5章 表面微纳混合结构提升硅薄膜太阳能电池效率 | 第121-138页 |
5.1 引言 | 第121页 |
5.2 微纳混合结构黑硅的制备 | 第121-126页 |
5.2.1 制备原料与化学试剂 | 第122-123页 |
5.2.2 制备过程 | 第123-124页 |
5.2.3 制备结果 | 第124-126页 |
5.3 微纳混合(倒)金字塔结构的制备及其反射特性 | 第126-128页 |
5.4 表面微纳混合结构在太阳能电池中的应用 | 第128-130页 |
5.5 微纳混合结构的陷光机理 | 第130-134页 |
5.5.1 表面抗反射特性 | 第130-132页 |
5.5.2 光能逃逸 | 第132-133页 |
5.5.3 延长光程 | 第133-134页 |
5.6 小结 | 第134-135页 |
5.7 参考文献 | 第135-138页 |
第6章 表面陷光结构的相关问题讨论及其优缺点比较 | 第138-163页 |
6.1 引言 | 第138页 |
6.2 表面陷光阵列结构的雾度特性 | 第138-145页 |
6.2.1 雾度的定义 | 第138-139页 |
6.2.2 雾度的测试方法 | 第139-140页 |
6.2.3 陷光阵列结构的雾度特性 | 第140-142页 |
6.2.4 雾度差异的原因分析 | 第142-143页 |
6.2.5 凹坑阵列结构深宽比对雾度特性的影响 | 第143-145页 |
6.3 表面陷光阵列结构的光学衍射特性 | 第145-155页 |
6.3.1 理论分析与模型 | 第146-150页 |
6.3.2 光学衍射特性的模拟结果 | 第150-152页 |
6.3.3 实验验证 | 第152-155页 |
6.4 表面陷光阵列结构的疏水特性 | 第155-159页 |
6.4.1 测试仪器 | 第156页 |
6.4.2 实验方法 | 第156页 |
6.4.3 结果与讨论 | 第156-159页 |
6.5 几种表面陷光结构的优缺点比较 | 第159-161页 |
6.6 小结 | 第161页 |
6.7 参考文献 | 第161-163页 |
总结与展望 | 第163-166页 |
致谢 | 第166-167页 |
攻读博士期间发表或在审的论文情况 | 第167-168页 |
攻读博士期间荣获奖学金情况 | 第168-170页 |