摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-16页 |
1.1 纳米带异质结的研究背景 | 第9-10页 |
1.2 自旋电子学 | 第10-12页 |
1.3 热自旋电子学 | 第12-14页 |
1.4 本文的工作 | 第14-16页 |
2 理论介绍 | 第16-22页 |
2.1 密度泛函理论基础 | 第16-17页 |
2.2 密度泛函理论 | 第17-20页 |
2.3 非平衡态格林函数方法 | 第20-22页 |
3 ZGNRs/ZBNNRs异质结的热输运性质 | 第22-41页 |
3.1 引言 | 第22页 |
3.2 计算模型和参数的设置 | 第22-24页 |
3.3 H_2CH_1B(C_2)_m(BN)_n纳米带异质结的热输运性质 | 第24-36页 |
3.4 H_2CH_2B(C_2)_4(BN)_4纳米带异质结的热输运性质 | 第36-40页 |
3.5 小结 | 第40-41页 |
4 ZGNRs/ZBNNRs异质结的电输运性质 | 第41-49页 |
4.1 引言 | 第41页 |
4.2 计算模型和参数的设置 | 第41-43页 |
4.3 ZGNRs/ZBNNRs异质结的电输运性质 | 第43-48页 |
4.4 小结 | 第48-49页 |
5 全文总结与展望 | 第49-51页 |
5.1 全文总结 | 第49-50页 |
5.2 展望 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-59页 |
附录 攻读硕士学位期间已发表或已完成的学术论文 | 第59页 |