| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-25页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 四氯化硅的来源 | 第8-11页 |
| 1.2.1 多晶硅物理提纯法 | 第8页 |
| 1.2.2 多晶硅化学提纯法 | 第8-11页 |
| 1.3 四氯化硅的处理 | 第11-14页 |
| 1.3.1 四氯化硅用于生产气相白炭黑 | 第11-13页 |
| 1.3.2 四氯化硅用于提纯制备光纤高纯四氯化硅 | 第13页 |
| 1.3.3 四氯化硅用于生产硅酸乙酯 | 第13页 |
| 1.3.4 四氯化硅用于制备其它硅烷类产品 | 第13-14页 |
| 1.3.5 四氯化硅用于制备三氯氢硅 | 第14页 |
| 1.4 四氯化硅的氢化 | 第14-19页 |
| 1.4.1 热氢化 | 第14页 |
| 1.4.2 冷氢化 | 第14-15页 |
| 1.4.3 氯氢化 | 第15-16页 |
| 1.4.4 高压等离子体氢化 | 第16-18页 |
| 1.4.5 催化热氢化 | 第18-19页 |
| 1.5 四氯化硅催化热氢化的反应机理与热力学 | 第19-23页 |
| 1.5.1 反应机理 | 第19-21页 |
| 1.5.2 催化热氢化反应的热力学问题 | 第21-23页 |
| 1.6 本课题研究思路及创新 | 第23-25页 |
| 第二章 实验部分 | 第25-32页 |
| 2.1 实验药品及设备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第25页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2 催化剂的表征方法 | 第26-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第26页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第26页 |
| 2.2.3 程序升温脱附(TPD) | 第26-27页 |
| 2.3 实验步骤 | 第27-29页 |
| 2.3.1 催化剂的制备 | 第27-28页 |
| 2.3.2 实验装置简图 | 第28页 |
| 2.3.3 产物分析方法 | 第28-29页 |
| 2.4 操作方法 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 催化剂的活性及表征 | 第32-51页 |
| 3.1 催化剂的活性 | 第32-39页 |
| 3.1.1 活性中心负载量与活性的关系 | 第32-34页 |
| 3.1.2 原料气流速与活性的关系 | 第34-36页 |
| 3.1.3 H_2和SiCl_4的摩尔比与活性的关系 | 第36-39页 |
| 3.2 反应温度与活性的关系 | 第39-42页 |
| 3.3 催化剂的XRD表征 | 第42-44页 |
| 3.4 催化剂的XPS表征 | 第44-46页 |
| 3.5 催化剂的TPD表征 | 第46-47页 |
| 3.6 催化剂的寿命测试 | 第47-49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 4.1 结论 | 第51页 |
| 4.2 展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |