基于电场分布模型提高绝缘子串污闪电压的方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本文主要内容及安排 | 第11-13页 |
| 2 原理及数值计算方法分析 | 第13-25页 |
| 2.1 绝缘子污闪的机理 | 第13-15页 |
| 2.2 附加金属环片对场强分布的影响 | 第15-17页 |
| 2.3 电磁场数值计算方法 | 第17-19页 |
| 2.4 工频系统中的电准静态场和静电场 | 第19-20页 |
| 2.5 有限元原理及计算步骤 | 第20-22页 |
| 2.6 Ansoftmaxwell在电场中的应用 | 第22-24页 |
| 2.7 本章小结 | 第24-25页 |
| 3 110kV悬式瓷质绝缘子串数值计算和结果分析 | 第25-40页 |
| 3.1 仿真模型的建立 | 第25-31页 |
| 3.2 110kV瓷质绝缘子场强仿真计算及分析 | 第31-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 110kV悬式瓷质绝缘子串污闪试验 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 试验准备 | 第40-43页 |
| 4.3 金属环片的设计 | 第43-45页 |
| 4.4 人工污秽试验研究 | 第45-48页 |
| 4.5 金属环片的现场安装 | 第48-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 5 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 全文总结 | 第51页 |
| 5.2 后续工作与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
