| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 多样的二维材料 | 第13-21页 |
| 1.1.1 过渡金属硫族化合物 | 第14-17页 |
| 1.1.2 铁磁二维材料 | 第17-21页 |
| 1.2 应变电子学 | 第21-25页 |
| 1.2.1 应变石墨烯 | 第21-22页 |
| 1.2.2 声子软化和带隙调节 | 第22页 |
| 1.2.3 应变调控相变 | 第22-25页 |
| 1.3 二维材料异质结 | 第25-29页 |
| 1.3.1 垂直和面内异质结场效应晶体管 | 第25-27页 |
| 1.3.2 二维材料异质结光电探测 | 第27-29页 |
| 1.4 小结 | 第29-31页 |
| 第二章 二维材料的机械剥离和转移 | 第31-47页 |
| 2.1 二维材料的机械剥离技术 | 第31-34页 |
| 2.2 二维材料定点转移技术 | 第34-45页 |
| 2.2.1 转移装置和相关试剂 | 第35-37页 |
| 2.2.2 牺牲层/有机层转移方法 | 第37-39页 |
| 2.2.3 vdWpick-up方法 | 第39-41页 |
| 2.2.4 PDMS全干法转移 | 第41-43页 |
| 2.2.5 转移技术现存问题探讨 | 第43-45页 |
| 2.3 小结 | 第45-47页 |
| 第三章 悬浮石墨烯的压电电导性质研究 | 第47-66页 |
| 3.1 悬浮石墨烯器件的制备 | 第47-51页 |
| 3.1.1 沟道氧化硅片准备和悬浮二维材料的机械剥离 | 第48-49页 |
| 3.1.2 掩模板法蒸镀金属电极 | 第49-51页 |
| 3.2 压力电导显微镜 | 第51-52页 |
| 3.3 层数依赖的压电电导性质 | 第52-53页 |
| 3.4 应力依赖关系 | 第53-55页 |
| 3.5 物理机制:层间相互作用的调控 | 第55-57页 |
| 3.6 讨论 | 第57-58页 |
| 3.7 其他讨论 | 第58-64页 |
| 3.7.1 可能的外在影响 | 第58-60页 |
| 3.7.2 堆叠方式的影响 | 第60-61页 |
| 3.7.3 背栅调控 | 第61-62页 |
| 3.7.4 理论计算中的有限尺寸效应 | 第62-64页 |
| 3.8 理论计算细节 | 第64-65页 |
| 3.8.1 非平衡格林函数计算细节 | 第64-65页 |
| 3.8.2 第一性原理计算细节 | 第65页 |
| 3.9 小结 | 第65-66页 |
| 第四章 Fe_3GeTe_2应变调控下输运性质研究 | 第66-78页 |
| 4.1 常温应变施加方式 | 第67-70页 |
| 4.1.1 电控压电陶瓷面内应变施加 | 第67-68页 |
| 4.1.2 周期性应变施加 | 第68-69页 |
| 4.1.3 弯曲柔性衬底应变施加 | 第69-70页 |
| 4.2 耐低温柔性衬底二维材料器件 | 第70-72页 |
| 4.3 低温应变原位调控装置 | 第72-74页 |
| 4.4 Fe_3GeTe_2应变调控输运性质研究 | 第74-76页 |
| 4.5 小结 | 第76-78页 |
| 第五章 Graphene/MoS_2异质结输运研究 | 第78-87页 |
| 5.1 Graphene/MoS_2界面光生激子对分离 | 第78-79页 |
| 5.2 器件制备和测量 | 第79-82页 |
| 5.3 电学测量结果 | 第82-83页 |
| 5.4 机制研究 | 第83-86页 |
| 5.5 小结 | 第86-87页 |
| 第六章 回顾与展望 | 第87-92页 |
| 6.1 回顾 | 第87-88页 |
| 6.2 展望 | 第88-92页 |
| 6.2.1 机械剥离和转移部分 | 第88-90页 |
| 6.2.2 低温输运应变调控部分 | 第90-91页 |
| 6.2.3 二维材料异质结部分 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-117页 |
| 科研成果 | 第117-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
