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单靶溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜及性能研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第1章 绪论第9-20页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 CZTS薄膜材料的性质第10-12页
        1.2.1 元素组成第10-11页
        1.2.2 晶体结构第11页
        1.2.3 光学性质第11-12页
    1.3 CZTS薄膜太阳电池结构及原理第12-14页
        1.3.1 CZTS薄膜太阳电池主要结构第12-13页
        1.3.2 CZTS薄膜太阳电池工作原理第13-14页
    1.4 CZTS薄膜的主要制备及表征方法第14-18页
        1.4.1 CZTS薄膜的主要制备方法第14-17页
            1.4.1.1 蒸发法第15页
            1.4.1.2 溅射法第15-16页
            1.4.1.3 溶液法第16页
            1.4.1.4 电沉积法第16-17页
        1.4.2 CZTS薄膜的主要表征方法第17-18页
            1.4.2.1 薄膜物相及结构表征第17页
            1.4.2.2 薄膜形貌及组分表征第17页
            1.4.2.3 薄膜光学及电学性质第17-18页
    1.5 选题背景及研究内容第18-20页
        1.5.1 选题背景第18页
        1.5.2 研究内容第18-20页
第2章 CZTS薄膜的表征及制备流程第20-31页
    2.1 主要仪器设备第20-28页
        2.1.1 CZTS薄膜的制备仪器第20-23页
            2.1.1.1 磁控溅射镀膜系统第20-21页
            2.1.1.2 热处理系统第21页
            2.1.1.3 化学水浴操作间第21-22页
            2.1.1.4 蒸发镀膜系统第22-23页
        2.1.2 CZTS薄膜的测试仪器第23-28页
            2.1.2.1 台阶仪第23页
            2.1.2.2 X射线衍射仪第23-24页
            2.1.2.3 拉曼光谱仪第24-25页
            2.1.2.4 扫描电子显微镜第25-26页
            2.1.2.5 原子力显微镜第26-27页
            2.1.2.6 分光光度计第27页
            2.1.2.7 霍尔测试仪第27-28页
    2.2 制备材料及工艺流程第28-31页
        2.2.1 制备材料第28-29页
            2.2.1.1 溅射镀膜材料第28页
            2.2.1.2 热处理所需材料第28页
            2.2.1.3 化学水浴所需材料第28-29页
            2.2.1.4 蒸发制备电极所需材料第29页
        2.2.2 制备流程第29-31页
第3章 CZTS薄膜的制备及性能研究第31-46页
    3.1 单靶溅射制备CZTS预制层薄膜第31-34页
        3.1.1 CZTS预制层薄膜的制备第31-32页
        3.1.2 CZTS预制层薄膜的研究第32-34页
    3.2 退火温度对制备CZTS薄膜的影响第34-38页
        3.2.1 不同退火温度制备CZTS薄膜第34-35页
        3.2.2 CZTS薄膜的测试表征第35-38页
            3.2.2.1 CZTS薄膜的组分第35-36页
            3.2.2.2 CZTS薄膜的晶体结构第36-37页
            3.2.2.3 CZTS薄膜的形貌第37-38页
    3.3 原位退火制备CZTS薄膜的研究第38-46页
        3.3.1 CZTS薄膜的制备第38-39页
        3.3.2 CZTS薄膜的表征第39-46页
            3.3.2.1 CZTS薄膜的组分第39-40页
            3.3.2.2 CZTS薄膜的晶体结构第40-42页
            3.3.2.3 CZTS薄膜的形貌第42-43页
            3.3.2.4 CZTS薄膜的带隙第43-44页
            3.3.2.5 CZTS薄膜的电学性质第44-46页
第4章 CZTS薄膜太阳电池的制备与研究第46-58页
    4.1 Mo背电极制备和抑制MoS2生长的研究第46-51页
        4.1.1 Mo电极的制备第46页
        4.1.2 抑制MoS_2生长的研究第46-51页
    4.2 缓冲层与窗口层的制备第51-58页
        4.2.1 缓冲层的制备第52-56页
        4.2.2 窗口层的制备第56-57页
        4.2.3 顶电极的制备第57-58页
第5章 总结与展望第58-61页
    5.1 总结第58-59页
    5.2 问题和展望第59-61页
参考文献第61-66页
攻读学位期间发表的学术论文和研究成果第66-67页
致谢第67页

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