| 缩略语 | 第13-15页 |
| 摘要 | 第15-17页 |
| Abstract | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第20-38页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第20-27页 |
| 1.1.1 单粒子效应是空天应用集成电路失效的主要因素 | 第20-22页 |
| 1.1.2 单粒子瞬态研究需求日趋紧迫 | 第22-25页 |
| 1.1.3 FinFET工艺下器件单粒子瞬态研究正在成为国际热点和难点 | 第25-27页 |
| 1.2 国内外相关研究现状与不足 | 第27-34页 |
| 1.2.1 FinFET单粒子瞬态的产生机理 | 第27-30页 |
| 1.2.2 FinFET单粒子瞬态效应的相关研究 | 第30-34页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第34-36页 |
| 1.4 本文组织结构 | 第36-38页 |
| 第二章 FinFET与传统平面器件SET对比研究 | 第38-54页 |
| 2.1 引言 | 第38页 |
| 2.2 相关研究与不足 | 第38-39页 |
| 2.3 器件结构和模拟设置 | 第39-41页 |
| 2.4 模拟结果与机理分析 | 第41-52页 |
| 2.4.1 P-hitSET比较 | 第41-49页 |
| 2.4.2 N-hitSET比较 | 第49-51页 |
| 2.4.3 温度对SET的影响 | 第51-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 SET与fin结构的相关性研究 | 第54-76页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 相关研究与不足 | 第54-55页 |
| 3.3 器件结构和模拟设置 | 第55-57页 |
| 3.4 模拟结果与机理分析 | 第57-75页 |
| 3.4.1 SET与fin几何尺寸相关性研究 | 第57-67页 |
| 3.4.2 SET与fin数目相关性研究 | 第67-70页 |
| 3.4.3 SET与fin间距相关性研究 | 第70-73页 |
| 3.4.4 SET与fin轰击位置相关性研究 | 第73-75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 SET与电压和体偏置的相关性研究 | 第76-86页 |
| 4.1 引言 | 第76页 |
| 4.2 相关研究与不足 | 第76-77页 |
| 4.3 器件结构和模拟设置 | 第77-79页 |
| 4.4 模拟结果与机理分析 | 第79-84页 |
| 4.4.1 SET的电压相关性研究 | 第79-81页 |
| 4.4.2 SET的体偏置相关性研究 | 第81-84页 |
| 4.5 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 多SET与器件版图的相关性研究 | 第86-100页 |
| 5.1 引言 | 第86-87页 |
| 5.2 相关研究与不足 | 第87-89页 |
| 5.3 器件结构和模拟设置 | 第89-90页 |
| 5.4 模拟结果与机理分析 | 第90-99页 |
| 5.4.1 版图结构相关性研究 | 第90-94页 |
| 5.4.2 DSD版图下粒子轰击位置及角度相关性研究 | 第94-98页 |
| 5.4.3 DSD版图下温度相关性研究 | 第98-99页 |
| 5.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 第六章 FinFET试验芯片设计与SET测试 | 第100-112页 |
| 6.1 SET测试技术简介 | 第100-102页 |
| 6.2 FinFET试验芯片设计 | 第102-108页 |
| 6.2.1 靶电路设计 | 第103-108页 |
| 6.2.2 测试电路设计 | 第108页 |
| 6.3 试验设置 | 第108-112页 |
| 6.3.1 基于SET测试的PCB板设计 | 第109页 |
| 6.3.2 SET脉冲激光测试方案 | 第109页 |
| 6.3.3 SET测试流程 | 第109-112页 |
| 第七章 结论与展望 | 第112-116页 |
| 7.1 本文所做的工作 | 第112-114页 |
| 7.2 下一步的研究工作 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-138页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第138-139页 |
