| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 基于相变材料的存储器结构和工作原理 | 第11-13页 |
| 1.3 相变材料的结构、性质和研究现状 | 第13-24页 |
| 1.3.1 相变材料的结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2 相变材料的电学性质 | 第15-19页 |
| 1.3.3 相变材料的光学性质 | 第19-24页 |
| 1.4 本文选题依据和研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法和测试方法 | 第26-32页 |
| 2.1 薄膜制备方法 | 第26-28页 |
| 2.2 器件制备方法 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜成分分析 | 第29页 |
| 2.4 薄膜表面形貌表征 | 第29-30页 |
| 2.5 薄膜结构表征 | 第30-31页 |
| 2.6 薄膜性质表征 | 第31-32页 |
| 第三章 空位引入和氮掺杂对锗锑碲薄膜电学性质的影响 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 电阻漂移的微观起源 | 第33-36页 |
| 3.3 低温退火对薄膜表面形貌的影响 | 第36-39页 |
| 3.4 空位引入和氮掺杂对Ge-Sb-Te薄膜电阻漂移的影响 | 第39-42页 |
| 3.5 空位引入和氮掺杂对Ge-Sb-Te薄膜结构的影响 | 第42-45页 |
| 3.6 降低电阻漂移的物理机制 | 第45-46页 |
| 3.7 氮掺杂对锗锑碲薄膜存储性质的影响 | 第46-47页 |
| 3.8 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 空位引入和氮掺杂对锗锑碲薄膜光学性质的影响 | 第48-60页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 薄膜成分分析 | 第49-50页 |
| 4.3 空位引入和氮掺杂对薄膜透射和反射的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 空位引入和氮掺杂对锗锑碲薄膜消光系数的影响 | 第52-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-72页 |
| 硕士期间所获得的科研成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
