| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-20页 |
| 1.1.1 半导体材料的定义及分类 | 第10-11页 |
| 1.1.2 金属氧化物半导体材料介绍 | 第11页 |
| 1.1.3 金属氧化物半导体材料的应用 | 第11-15页 |
| 1.1.4 电致变色材料的定义及分类 | 第15-16页 |
| 1.1.5 电致变色材料的变色原理 | 第16-17页 |
| 1.1.6 电致变色材料的应用 | 第17-20页 |
| 1.2 五氧化二钽介绍 | 第20-25页 |
| 1.2.1 五氧化二钽的晶体结构 | 第20-21页 |
| 1.2.2 五氧化二钽的制备方法 | 第21-23页 |
| 1.2.3 五氧化二钽的应用 | 第23-25页 |
| 1.3 五氧化二钒介绍 | 第25-27页 |
| 1.3.1 五氧化二钒的晶体结构 | 第25页 |
| 1.3.2 五氧化二钒的制备方法 | 第25-26页 |
| 1.3.3 五氧化二钒的应用 | 第26-27页 |
| 1.4 本文的研究内容与意义 | 第27-29页 |
| 1.4.1 本文的研究内容 | 第27页 |
| 1.4.2 本文的研究意义 | 第27-29页 |
| 第二章 薄膜材料的制备方法和表征 | 第29-32页 |
| 2.1 薄膜材料的制备 | 第29-30页 |
| 2.1.1 磁控溅射设备介绍 | 第29页 |
| 2.1.2 磁控溅射方法的原理 | 第29-30页 |
| 2.2 薄膜材料的表征 | 第30-32页 |
| 2.2.1 透射率光谱 | 第30页 |
| 2.2.2 复平面阻抗谱 | 第30页 |
| 2.2.3 循环伏安法(CV) | 第30-31页 |
| 2.2.4 X射线衍射物相分析(XRD) | 第31页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| 2.2.6 四探针 | 第31-32页 |
| 第三章 磁控溅射法制备Ta_2O_5薄膜材料及其性能表征 | 第32-53页 |
| 3.1 Ta_2O_5薄膜的制备及所需材料 | 第32页 |
| 3.2 不同溅射时间条件下制备的Ta_2O_5薄膜的阻抗特性 | 第32-35页 |
| 3.3 不同氧氩流量条件下制备Ta_2O_5薄膜的阻抗特性 | 第35-41页 |
| 3.4 不同条件下制备Ta_2O_5薄膜的透射特性 | 第41-46页 |
| 3.5 Ta_2O_5薄膜的XRD检测 | 第46-47页 |
| 3.6 不同条件下制备的Ta_2O_5薄膜的方块电阻 | 第47-48页 |
| 3.7 Ta_2O_5薄膜与氧化铝复合薄膜的性能研究 | 第48-52页 |
| 3.8 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 磁控溅射法制备V_2O_5薄膜材料及其性能表征 | 第53-65页 |
| 4.1 不同条件制备的V_2O_5薄膜电致变色性能 | 第53-57页 |
| 4.2 不同条件制备的V_2O_5薄膜循环伏安(CV)曲线 | 第57-62页 |
| 4.3 不同条件制备的V_2O_5薄膜阻抗特性 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 论文总结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 科研成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
