考虑量子效应的场效应晶体管电学特性的研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 场效应晶体管的发展与背景 | 第8-13页 |
| 1.1.1 MOSFET器件的发展以及尺寸与工艺 | 第8-11页 |
| 1.1.2 典型的小尺寸的MOSFET | 第11-13页 |
| 1.2 MOSFET量子效应的研究情况 | 第13-16页 |
| 1.3 二维电子气的其它研究以及前沿 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 二维电子气的研究 | 第19-42页 |
| 2.1 MOS硅栅中的二维电子气特性 | 第19-20页 |
| 2.2 二维电子气的一些近似方法 | 第20-29页 |
| 2.2.1 Stern的解析波函数 | 第21-24页 |
| 2.2.2 Grinberg的解析波函数 | 第24-29页 |
| 2.3 新的自洽波函数 | 第29-40页 |
| 2.3.1 解析波函数的推导 | 第29-34页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第34-40页 |
| 2.4 总结 | 第40-42页 |
| 第三章 极薄氧化层MOSFET的电学特性 | 第42-62页 |
| 3.1 分区域的近似 | 第42-43页 |
| 3.2 矩形势的近似 | 第43-49页 |
| 3.2.1 非对称的矩形势近似 | 第44-47页 |
| 3.2.2 对称的矩形势近似 | 第47-49页 |
| 3.3 自洽的隧穿模型 | 第49-61页 |
| 3.3.1 有限势垒的修正以及平移波函数 | 第51-53页 |
| 3.3.2 数值结果与分析 | 第53-57页 |
| 3.3.3 应用到MOSFET器件 | 第57-61页 |
| 3.4 总结 | 第61-62页 |
| 第四章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |
