| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展态势 | 第12-14页 |
| 1.3 论文所要解决的问题 | 第14页 |
| 1.4 本文主要结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 ESD防护基本原理 | 第16-31页 |
| 2.1 ESD芯片级放电模型 | 第16-23页 |
| 2.1.1 HBM测试模型 | 第16-18页 |
| 2.1.2 CDM测试模型 | 第18-20页 |
| 2.1.3 MM测试模型 | 第20-21页 |
| 2.1.4 TLP测试模型 | 第21-22页 |
| 2.1.5 电子枪测试 | 第22-23页 |
| 2.2 ESD的测试组合 | 第23-26页 |
| 2.2.1 I/O引脚对地和电源的ESD测试 | 第24-25页 |
| 2.2.2 I/O引脚之间的ESD测试 | 第25-26页 |
| 2.2.3 电源与地之间的ESD测试 | 第26页 |
| 2.3 ESD的防护理论 | 第26-28页 |
| 2.4 ESD测试失效判断标准 | 第28-29页 |
| 2.4.1 漏电电流增大 | 第28-29页 |
| 2.4.2 I/V曲线偏移 | 第29页 |
| 2.4.3 MOS管阈值变化 | 第29页 |
| 2.4.4 功能观测法 | 第29页 |
| 2.5 ESD设计窗口概念 | 第29-30页 |
| 2.6 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 常规ESD防护器件及原理 | 第31-44页 |
| 3.1 二极管静电防护器件 | 第31-36页 |
| 3.1.1 正向偏置的二极管ESD防护单元工作原理 | 第31-32页 |
| 3.1.2 反向偏置二极管ESD防护单元工作原理 | 第32-33页 |
| 3.1.3 二极管ESD防护方案设计 | 第33页 |
| 3.1.4 二极管的寄生模型 | 第33-34页 |
| 3.1.5 二极管ESD防护器件缺点 | 第34-36页 |
| 3.1.5.1 二极管正偏时的ESD防护缺点 | 第34-35页 |
| 3.1.5.2 二极管反偏时的ESD防护缺点 | 第35-36页 |
| 3.2 BJT静电防护器件 | 第36-37页 |
| 3.2.1 BJT静电防护器件工作原理 | 第36页 |
| 3.2.2 BJT静电防护方案 | 第36-37页 |
| 3.2.3 BJT寄生模型 | 第37页 |
| 3.3 LDMOSFET静电防护器件 | 第37-40页 |
| 3.3.1 LDMOS器件静电防护工作原理 | 第38页 |
| 3.3.2 LDMOS器件寄生模型 | 第38-39页 |
| 3.3.3 LDMOS器件的ESD防护存在的问题及其改进 | 第39-40页 |
| 3.3.3.1 LDMOS电流集中效应 | 第39页 |
| 3.3.3.2 LDMOS Latch-Up效应 | 第39页 |
| 3.3.3.3 LDMOS器件电流不均匀性改进 | 第39-40页 |
| 3.4 SCR类型防护器件 | 第40-43页 |
| 3.4.1 SCR器件原理 | 第40-42页 |
| 3.4.2 SCR器件寄生模型 | 第42页 |
| 3.4.3 一类常规SCR器件的改进 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 BCD工艺下的LDMOS器件的设计与优化 | 第44-56页 |
| 4.1 LDMOS器件的ESD防护特点 | 第44-45页 |
| 4.2 LDMOS器件的仿真分析 | 第45-48页 |
| 4.3 LDMOS器件的沟道设计与优化 | 第48-49页 |
| 4.4 LDMOS器件的漏端设计与优化 | 第49-50页 |
| 4.5 ESD失效电流随宽度的变化 | 第50-51页 |
| 4.6 LDMOS-SCR器件设计与优化 | 第51-55页 |
| 4.6.1 分割型LDMOS.SCR | 第51-53页 |
| 4.6.2 LDMOS-SCR | 第53-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 BCD工艺下的SCR类型器件的设计与优化 | 第56-70页 |
| 5.1 单向SCR结构研究 | 第56-66页 |
| 5.1.1 BCD工艺下SCR器件的基本ESD特性 | 第56-57页 |
| 5.1.2 降低触发电压的SCR结构设计 | 第57-60页 |
| 5.1.2.1 MLSCR器件设计 | 第57-58页 |
| 5.1.2.2 新型低触发SCR器件设计 | 第58-60页 |
| 5.1.3 提高SCR器件维持电压的结构设计 | 第60-64页 |
| 5.1.3.1 寄生基区宽度对SCR器件ESD性能的影响 | 第60-61页 |
| 5.1.3.2 新型分割型SCR结构器件设计 | 第61-63页 |
| 5.1.3.3 高维持电压HHV SCR结构设计 | 第63-64页 |
| 5.1.4 RC辅助触发型SCR结构设计 | 第64-66页 |
| 5.2 双向SCR结构研究 | 第66-69页 |
| 5.2.1 基本双向SCR结构ESD特性研究 | 第66-67页 |
| 5.2.2 改进型双向SCR结构ESD研究 | 第67-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结及展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望及不足 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76页 |
