| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 二氧化钒的结构与性能 | 第13-19页 |
| 1.2.1 二氧化钒简介 | 第13页 |
| 1.2.2 二氧化钒的相变机理研究 | 第13-14页 |
| 1.2.3 二氧化钒相变温度的调控方法 | 第14页 |
| 1.2.4 重金属掺杂调控二氧化钒相变温度 | 第14-15页 |
| 1.2.5 应力调控VO_2相变温度 | 第15-16页 |
| 1.2.6 p-n调控VO_2的相变温度 | 第16-17页 |
| 1.2.7 离子液调控VO_2的相变温度 | 第17-19页 |
| 1.3 二氧化钒的应用前景 | 第19-22页 |
| 1.3.1 二氧化钒太赫兹器件 | 第19-20页 |
| 1.3.2 光盘介质材料 | 第20页 |
| 1.3.3 红外激光防护装置 | 第20-21页 |
| 1.3.4 二氧化钒光电开关 | 第21页 |
| 1.3.5 智能窗薄膜涂层 | 第21-22页 |
| 1.4 本文选题背景和研究内容 | 第22-24页 |
| 2 二氧化钒纳米材料的制备及其表征方法 | 第24-34页 |
| 2.1 二氧化钒制备简介 | 第24页 |
| 2.2 二氧化钒纳米材料的制备方法 | 第24-28页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积法(PLD) | 第24-25页 |
| 2.2.2 化学气相沉积法(CVD) | 第25页 |
| 2.2.3 分子束外延法(MBE) | 第25-26页 |
| 2.2.4 溶胶凝胶法(Sol-gel) | 第26-27页 |
| 2.2.5 磁控溅射法(PVD) | 第27-28页 |
| 2.3 二氧化钒的常用表征方法 | 第28-31页 |
| 2.3.1 X射线衍射表征方法(XRD) | 第28-29页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)技术 | 第29-30页 |
| 2.3.3 拉曼(Raman)表征方法 | 第30-31页 |
| 2.4 二氧化钒电学特性表征 | 第31页 |
| 2.5 二氧化钒物质性质表征-范德堡法测试薄膜电阻率 | 第31-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 单晶二氧化钒薄膜的制备及其性能研究 | 第34-50页 |
| 3.1 研究背景 | 第34页 |
| 3.2 实验方案(Vapor-solidmethod) | 第34-36页 |
| 3.2.1 二氧化钒作为反应源 | 第34-35页 |
| 3.2.2 五氧化二钒作为反应源 | 第35-36页 |
| 3.3 管式炉制备二氧化钒薄膜工艺研究 | 第36-40页 |
| 3.4 管式炉生长二氧化钒薄膜基于不同衬底的研究 | 第40-41页 |
| 3.5 管式炉生长二氧化钒薄膜的结果与分析 | 第41-45页 |
| 3.5.1 结构分析 | 第41-43页 |
| 3.5.2 电学参数分析 | 第43-44页 |
| 3.5.3 相变特性分析 | 第44-45页 |
| 3.6 二氧化钒薄膜真空计设计 | 第45-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-50页 |
| 4 基于二氧化钒的MOSFET器件的制作和性能研究 | 第50-64页 |
| 4.1 研究背景 | 第50页 |
| 4.2 二氧化钒MOSFET器件工艺 | 第50-57页 |
| 4.2.1 二氧化钒MOSFET工艺流程 | 第50-51页 |
| 4.2.2 光刻工艺 | 第51-54页 |
| 4.2.3 刻蚀工艺 | 第54-55页 |
| 4.2.4 金属电极的制作 | 第55-57页 |
| 4.2.5 器件快速退火处理 | 第57页 |
| 4.3 二氧化钒MOSFET器件特性和MIT的调控 | 第57-61页 |
| 4.4 二氧化钒MOSFET结构的真空计优化研究 | 第61-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 结论 | 第64-66页 |
| 5.1 总结 | 第64页 |
| 5.2 展望 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录 | 第74页 |
