钪掺杂铌酸锂晶体生长及其光学性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题背景 | 第10-11页 |
| 1.2 铌酸锂晶体的结构 | 第11-12页 |
| 1.3 同成分铌酸锂晶体的缺陷结构 | 第12-14页 |
| 1.3.1 铌酸锂晶体的同成分点 | 第12-13页 |
| 1.3.2 同成分铌酸锂晶体缺陷结构 | 第13-14页 |
| 1.4 铌酸锂晶体的光致散射效应 | 第14-17页 |
| 1.4.1 光折变效应的发现 | 第14-15页 |
| 1.4.2 光折变的理论基础 | 第15-17页 |
| 1.5 铌酸锂晶体的掺杂 | 第17-20页 |
| 1.5.1 光折变敏感元素的掺杂 | 第17-18页 |
| 1.5.2 抗光折变离子的掺杂 | 第18-20页 |
| 1.6 本文的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 提拉法生长掺钪铌酸锂单晶 | 第22-32页 |
| 2.1 实验材料 | 第22页 |
| 2.2 多晶粉料的制备 | 第22-23页 |
| 2.3 生长设备与生长过程 | 第23-26页 |
| 2.3.1 实验设备及控制系统 | 第23-24页 |
| 2.3.2 提拉法生长过程 | 第24-26页 |
| 2.4 晶体生长工艺 | 第26-29页 |
| 2.4.1 温度梯度 | 第27-28页 |
| 2.4.2 晶体提拉速度 | 第28-29页 |
| 2.4.3 晶体旋转速度 | 第29页 |
| 2.5 晶体极化退火 | 第29-30页 |
| 2.6 晶体的加工 | 第30-31页 |
| 2.7 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 对晶体结构及光谱性能的分析 | 第32-48页 |
| 3.1 粉末 X 射线衍射 | 第32-36页 |
| 3.1.1 X 射线衍射原理 | 第32页 |
| 3.1.2 粉末 X 射线衍射实验 | 第32-36页 |
| 3.2 高分辨 X 射线摇摆曲线 | 第36-38页 |
| 3.2.1 摇摆曲线简介 | 第36-37页 |
| 3.2.2 摇摆曲线实验 | 第37-38页 |
| 3.2.3 结果分析 | 第38页 |
| 3.3 红外光谱（FTIR）测试 | 第38-41页 |
| 3.3.1 红外光谱 | 第38-39页 |
| 3.3.2 红外光谱测试结果 | 第39-40页 |
| 3.3.3 红外光谱测试结果分析 | 第40-41页 |
| 3.4 紫外可见吸收光谱（UV-VIS） | 第41-44页 |
| 3.4.1 紫外可见吸收光谱 | 第41-42页 |
| 3.4.2 紫外可见光谱测试结果 | 第42页 |
| 3.4.3 紫外可见光谱测试结果分析 | 第42-44页 |
| 3.5 拉曼光谱测试 | 第44-47页 |
| 3.5.1 原理简介 | 第44页 |
| 3.5.2 结果与讨论 | 第44-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 掺钪铌酸锂晶体的光学特性 | 第48-68页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 双折变法测均匀性 | 第48-52页 |
| 4.2.1 一轴晶的性质 | 第48页 |
| 4.2.2 实验原理与方法 | 第48-50页 |
| 4.2.3 实验结果与分析 | 第50-52页 |
| 4.3 晶体的抗光损伤性能 | 第52-58页 |
| 4.3.1 实验原理 | 第52页 |
| 4.3.2 光损伤实验 | 第52-53页 |
| 4.3.3 光损伤结果分析 | 第53-58页 |
| 4.4 晶体的光存储性质 | 第58-62页 |
| 4.4.1 折射率栅 | 第58-59页 |
| 4.4.2 二波耦合实验 | 第59-62页 |
| 4.4.3 结果讨论 | 第62页 |
| 4.5 晶体的倍频性能 | 第62-66页 |
| 4.5.1 铌酸锂晶体倍频性能 | 第62页 |
| 4.5.2 倍频原理 | 第62-63页 |
| 4.5.3 倍频测试与结果 | 第63-66页 |
| 4.5.4 结果讨论 | 第66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
