三维集成系统中硅直通孔的多物理场模型研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| 1.1 基于硅通孔的三维集成技术 | 第7-9页 |
| 1.2 硅通孔的制作工艺 | 第9-11页 |
| 1.3 多物理场环境下硅通孔的可靠性 | 第11-12页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.5 研究内容和结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 TSV的热学模型及三维集成系统的热管理 | 第16-26页 |
| 2.1 概述 | 第16-17页 |
| 2.2 TSV的热阻模型 | 第17-22页 |
| 2.2.1 一维热阻模型 | 第18-19页 |
| 2.2.2 分段热阻模型 | 第19-21页 |
| 2.2.3 有限元仿真模型建立 | 第21-22页 |
| 2.3 稳态温度结果与讨论 | 第22-24页 |
| 2.4 三维集成系统的热管理 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 TSV的热应力可靠性 | 第26-41页 |
| 3.1 概述 | 第26-27页 |
| 3.2 硅通孔几何参数对热应力的影响 | 第27-32页 |
| 3.2.1 铜半径的影响 | 第27-30页 |
| 3.2.2 绝缘层的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.3 势垒层的影响 | 第32页 |
| 3.3 热应力对载流子迁移率的影响 | 第32-35页 |
| 3.4 提高TSV热应力可靠性的方法 | 第35-39页 |
| 3.4.1 应力释放槽 | 第35-37页 |
| 3.4.2 BCB绝缘层 | 第37-38页 |
| 3.4.3 Air-gap TSV | 第38-39页 |
| 3.5 圆锥形硅通孔 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 硅通孔内部电致应力及热电耦合分析 | 第41-57页 |
| 4.1 电学可靠性 | 第41-44页 |
| 4.2 热电耦合分析 | 第44-48页 |
| 4.3 电致热应力 | 第48-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 硅通孔的热-力-电多物理场可靠性 | 第57-75页 |
| 5.1 两个TSV电-热-力耦合分析 | 第57-63页 |
| 5.2 四个TSV电-热-力耦合分析 | 第63-73页 |
| 5.2.1 正方形排列 | 第63-67页 |
| 5.2.2 菱形排列 | 第67-73页 |
| 5.3 本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-77页 |
| 6.1 工作总结 | 第75-76页 |
| 6.2 工作展望 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82-83页 |
