12位带数字校准的SAR ADC设计与实现
| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 模拟集成电路在纳米工艺下的机遇与挑战 | 第11-16页 |
| 1.1.1 特征尺寸降低对设计的挑战 | 第11-16页 |
| 1.1.2 低电源电压限制 | 第16页 |
| 1.2 SAR ADC研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2.1 工业界研究现状 | 第17页 |
| 1.2.2 学术界研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 论文组织结构 | 第20-22页 |
| 第二章 传统ADC结构 | 第22-36页 |
| 2.1 常见模数转换器 | 第22-29页 |
| 2.1.1 Flash ADC | 第22-23页 |
| 2.1.2 两步法ADC | 第23-24页 |
| 2.1.3 内插和折叠ADC | 第24-25页 |
| 2.1.4 流水式ADC | 第25-26页 |
| 2.1.5 积分式ADC | 第26页 |
| 2.1.6 逐次逼近寄存器型ADC | 第26-28页 |
| 2.1.7 ADC结构总结 | 第28-29页 |
| 2.2 SAR ADC的实现方法 | 第29-31页 |
| 2.3 静态误差来源 | 第31-33页 |
| 2.3.1 电容失配 | 第32-33页 |
| 2.3.2 失调误差 | 第33页 |
| 2.4 动态误差来源 | 第33-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 分裂电容阵列 | 第36-44页 |
| 3.1 DAC电容阵列 | 第36-38页 |
| 3.2 单位电容值的计算 | 第38-40页 |
| 3.3 分裂电容阵列各参数对性能的影响 | 第40-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于分裂电容阵列的校准算法 | 第44-57页 |
| 4.1 电容阵列失配误差 | 第44-46页 |
| 4.2 自校准算法 | 第46-49页 |
| 4.3 改进的校准算法 | 第49-55页 |
| 4.4 校准算法对比 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 带数字校准的SAR ADC设计与实现 | 第57-72页 |
| 5.1 体系结构 | 第57-62页 |
| 5.2 行为级模型分析 | 第62-64页 |
| 5.3 模块电路分析 | 第64-69页 |
| 5.3.1 比较器 | 第65-67页 |
| 5.3.2 采样电路 | 第67-68页 |
| 5.3.3 电容阵列的实现 | 第68-69页 |
| 5.4 实验结果 | 第69-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结和未来工作 | 第72-73页 |
| 6.1 总结 | 第72页 |
| 6.2 未来工作 | 第72-73页 |
| 结束语 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第79页 |
