| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 课题来源 | 第12页 |
| 1.2 研究背景 | 第12-19页 |
| 1.2.1 器件结构及原理 | 第13-17页 |
| 1.2.2 界面接触原理 | 第17-19页 |
| 1.3 研究现状 | 第19-29页 |
| 1.3.1 LED透明电极研究现状 | 第19-23页 |
| 1.3.2 p-GaN界面接触研究现状 | 第23-27页 |
| 1.3.3 OTFT界面接触研究现状 | 第27-29页 |
| 1.4 本文研究内容和组织结构 | 第29-31页 |
| 第二章 GZO透明薄膜制备、测试与分析 | 第31-58页 |
| 2.1 GZO薄膜和器件制备和表征方法 | 第31-42页 |
| 2.1.1 GZO薄膜制备方法 | 第31-34页 |
| 2.1.2 测试与表征方法 | 第34-42页 |
| 2.2 GZO透明导电薄膜溅射工艺研究 | 第42-57页 |
| 2.2.1 基底温度对GZO光电性能的影响 | 第42-45页 |
| 2.2.2 氩气流量对GZO光电性能的影响 | 第45-49页 |
| 2.2.3 溅射功率对GZO光电性能的影响 | 第49-52页 |
| 2.2.4 薄膜厚度对GZO光电性能的影响 | 第52-57页 |
| 2.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第三章Cu_xS插入层及其GZO/p-GaN界面接触性能研究 | 第58-74页 |
| 3.1 实验 | 第58-60页 |
| 3.2 退火条件对GZO/Cu_xS/p-GaN接触性能的影响 | 第60-68页 |
| 3.2.1 GZO/Cu_xS/p-GaN界面欧姆接触性能研究 | 第60-62页 |
| 3.2.2 XPS表面元素分析 | 第62-65页 |
| 3.2.3 AES元素含量剖面分析 | 第65-67页 |
| 3.2.4 欧姆接触形成示意图 | 第67-68页 |
| 3.3 Cu_xS插入层厚度对GZO/p-GaN接触性能的影响 | 第68-73页 |
| 3.3.1 薄膜特性 | 第68-71页 |
| 3.3.2 GZO/Cu_xS/p-GaN界面欧姆接触性能研究 | 第71页 |
| 3.3.3 LED光电性能 | 第71-73页 |
| 3.4 本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 p-In_xGa_(1-x)N插入层及其GZO/p-GaN界面接触性能研究 | 第74-92页 |
| 4.1 实验 | 第74-75页 |
| 4.2 GZO/p-In_xGa_(1-x)N/p-GaN界面接触性能的研究 | 第75-84页 |
| 4.2.1 退火温度对GZO/p-In_xGa_(1-x)N/p-GaN界面接触性能影响 | 第75-78页 |
| 4.2.2 溅射功率对GZO/p-In_xGa_(1-x)N/p-GaN界面接触性能影响 | 第78-79页 |
| 4.2.3 溅射功率对LED器件性能影响 | 第79-80页 |
| 4.2.4 溅射功率对p-In_xGa_(1-x)N/p-GaN表面的影响 | 第80-84页 |
| 4.3 GZO电极溅射功率梯度设计 | 第84-86页 |
| 4.4 GZO电极LED工程流片及验证 | 第86-90页 |
| 4.5 本章小结 | 第90-92页 |
| 第五章 低成本Cu/Cu_xS复合电极与并五苯接触性能研究 | 第92-103页 |
| 5.1 实验 | 第92-93页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第93-101页 |
| 5.2.1 OTFT器件性能对比 | 第93-95页 |
| 5.2.2 接触电阻和MIS电容分析 | 第95-98页 |
| 5.2.3 AFM表面形貌分析 | 第98-100页 |
| 5.2.4 XPS界面分析 | 第100-101页 |
| 5.3 本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 结论与展望 | 第103-107页 |
| 6.1 结论 | 第103-105页 |
| 6.2 展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-120页 |
| 作者在读期间公开发表的论文和申请的专利 | 第120-122页 |
| 作者在读期间参与的项目 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123页 |
