| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO的结构及基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 光催化 | 第13-20页 |
| 1.3.1 ZnO光催化的基本原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 提高ZnO光催化性能的方法 | 第14-20页 |
| 1.3.2.1 贵金属修饰 | 第14-16页 |
| 1.3.2.2 半导体复合 | 第16-17页 |
| 1.3.2.3 掺杂 | 第17-19页 |
| 1.3.2.4 光电催化 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究目的和内容 | 第20-21页 |
| 2 Ag棒上ZnO纳米棒阵列的光、光电催化性能 | 第21-45页 |
| 2.1 引言 | 第21-22页 |
| 2.2 ZnO纳米棒阵列的制备及表征 | 第22-32页 |
| 2.2.1 实验所用试剂和仪器 | 第22-23页 |
| 2.2.2 ZnO纳米棒阵列的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 ZnO纳米棒阵列的表征及结果分析 | 第24-27页 |
| 2.2.4 ZnO纳米棒阵列的光致发光 | 第27-32页 |
| 2.3 ZnO纳米棒阵列的光催化性能 | 第32-34页 |
| 2.3.1 ZnO纳米棒阵列光催化活性测试过程 | 第32-33页 |
| 2.3.2 结果与讨论 | 第33-34页 |
| 2.4 ZnO纳米棒阵列的光电催化性能 | 第34-44页 |
| 2.4.1 光电催化实验过程 | 第34-35页 |
| 2.4.2 ZnO纳米棒阵列光电催化降解罗丹明B的影响因素 | 第35-44页 |
| 2.4.2.1 Zn O纳米棒光电催化性能 | 第35-36页 |
| 2.4.2.2 电压大小的影响 | 第36-38页 |
| 2.4.2.3 电极间距的影响 | 第38-40页 |
| 2.4.2.4 污染物初始浓度的影响 | 第40-41页 |
| 2.4.2.5 Na_2SO_4浓度的影响 | 第41-43页 |
| 2.4.2.6 稳定性 | 第43-44页 |
| 2.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 3 Al片上ZnO纳米片的光、光电催化性能 | 第45-56页 |
| 3.1 引言 | 第45-46页 |
| 3.2 ZnO纳米片的制备及表征 | 第46-48页 |
| 3.2.1 ZnO纳米片的制备 | 第46-47页 |
| 3.2.2 ZnO纳米片的表征测试及结果分析 | 第47-48页 |
| 3.3 ZnO结构片光催化及光电催化性能 | 第48-54页 |
| 3.3.1 ZnO纳米片催化反应实验过程 | 第48-49页 |
| 3.3.2 ZnO纳米片的光电催化性能 | 第49-52页 |
| 3.3.3 不同ZnO纳米结构催化性能差异的分析 | 第52-54页 |
| 3.3.3.1 光催化性能差异 | 第52-54页 |
| 3.3.3.2 光电催化性能差异 | 第54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 4 结论与展望 | 第56-58页 |
| 4.1 结论 | 第56-57页 |
| 4.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |