| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 Mg_2Si的基本性质 | 第8-10页 |
| 1.2.1 Mg_2Si晶体结构 | 第8-9页 |
| 1.2.2 Mg_2Si的光学性质、电学性质 | 第9-10页 |
| 1.3 Mg_2Si材料的研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3.1 Mg_2Si材料的制备方法 | 第10-11页 |
| 1.3.2 Mg_2Si材料的掺杂 | 第11-12页 |
| 1.3.3 Mg_2Si材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 制备与表征方法 | 第14-23页 |
| 2.1 溅射源材料及衬底 | 第14页 |
| 2.2 制备仪器 | 第14-17页 |
| 2.2.1 磁控溅射镀膜系统 | 第14-16页 |
| 2.2.2 热处理系统 | 第16-17页 |
| 2.3 样品表征设备 | 第17-22页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第18页 |
| 2.3.2 扫描电镜 | 第18-19页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第19-20页 |
| 2.3.4 四探针 | 第20-21页 |
| 2.3.5 霍尔测试仪 | 第21页 |
| 2.3.6 分光光度计 | 第21-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 制备工艺对Si衬底上Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第23-45页 |
| 3.1 掺杂方案的选择 | 第23-25页 |
| 3.2 Si衬底上Al掺杂Mg_2Si薄膜的制备 | 第25-27页 |
| 3.2.1 衬底及靶材的处理 | 第25-26页 |
| 3.2.2 磁控溅射沉积 | 第26页 |
| 3.2.3 热处理 | 第26-27页 |
| 3.3 Si衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜的影响 | 第27-35页 |
| 3.3.1 Si衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第27-29页 |
| 3.3.2 Si衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第29-31页 |
| 3.3.3 Si衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜光学性质的影响 | 第31-35页 |
| 3.3.4 Si衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜电学性质的影响 | 第35页 |
| 3.4 Si衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第35-40页 |
| 3.4.1 Si衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.2 Si衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.3 Si衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜光学性质的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.4 Si衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜电学性质的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 Si衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第40-44页 |
| 3.5.1 Si衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
| 3.5.2 Si衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第41-42页 |
| 3.5.3 Si衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜光学性质的影响 | 第42-44页 |
| 3.5.4 Si衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜电学性质的影响 | 第44页 |
| 3.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 制备工艺对石英衬底上Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第45-65页 |
| 4.1 石英衬底上制备Al掺杂Mg_2Si薄膜 | 第45-46页 |
| 4.1.1 衬底及靶材的处理 | 第45-46页 |
| 4.1.2 磁控溅射沉积 | 第46页 |
| 4.1.3 热处理 | 第46页 |
| 4.2 石英衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜的影响 | 第46-53页 |
| 4.2.1 石英衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.2 石英衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜晶体表面形貌的影响 | 第48-49页 |
| 4.2.3 石英衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜的光学性质的影响 | 第49-53页 |
| 4.2.4 石英衬底上Al掺杂量对Mg_2Si薄膜的电学性质的影响 | 第53页 |
| 4.3 石英衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第53-58页 |
| 4.3.1 石英衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第54页 |
| 4.3.2 石英衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 石英衬底上溅射时间对Al掺杂Mg_2Si薄膜光学性质的影响 | 第55-58页 |
| 4.4 石英衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜的影响 | 第58-63页 |
| 4.4.1 石英衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第59页 |
| 4.4.2 石英衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜表面形貌的影响 | 第59-60页 |
| 4.4.3 石英衬底上退火温度对Al掺杂Mg_2Si薄膜光学性质的影响 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |
