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微波管慢波结构高频特性的有限元分析

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 引言第11-17页
   ·微波管概述第11-12页
   ·微波管CAD技术发展现状第12-14页
   ·本课题的研究意义第14页
   ·本文组织结构第14-17页
第二章 计算电磁学中的有限元方法第17-26页
   ·求解边值问题的一般方法第17-19页
   ·插值基函数第19-21页
     ·标量插值基函数第19-21页
     ·矢量插值基函数第21页
   ·有限元方法的基本步骤第21-25页
     ·离散求解区域第21-22页
     ·插值基函数的选择第22-23页
     ·建立方程组第23-24页
     ·矩阵方程的求解第24-25页
   ·本章小结第25-26页
第三章 慢波结构高频特性的有限元分析第26-37页
   ·慢波结构中的边值问题第26-27页
   ·边界条件第27-30页
     ·一般边界条件第28-29页
     ·周期边界条件第29-30页
       ·标准周期边界条件第29页
       ·基于角向周期性的精简周期边界条件第29-30页
   ·插值基函数第30-33页
     ·基于棱边元的矢量基函数第31-32页
     ·基于棱边元及面单元的矢量基函数第32-33页
   ·泛函方程的离散第33-35页
   ·衰减介质的处理第35-36页
   ·本章小结第36-37页
第四章 高频电路模拟器的设计与实现第37-61页
   ·模型的建立第37-40页
     ·实体模型第37-40页
     ·计算模型第40页
   ·网格划分第40-43页
     ·初始网格第40-41页
     ·网格自适应计算技术第41-43页
   ·构建矩阵方程组第43-45页
     ·单元矩阵集成第43-44页
     ·添加边界条件第44-45页
   ·广义本征值方程的求解技术第45-49页
     ·稀疏矩阵的存储第45-46页
     ·稀疏矩阵的LU分解第46-47页
     ·本征值的迭代求解第47-49页
       ·隐式重启Arnoldi迭代法第47-48页
       ·位移求逆技术第48-49页
   ·高频参数的后处理计算第49-52页
     ·色散特性第49-50页
     ·耦合阻抗第50-51页
     ·衰减常数第51-52页
   ·高频电路模拟器的使用第52-60页
     ·创建实体模型和计算模型第52-54页
     ·计算参数设置第54-56页
     ·计算结果第56-58页
     ·三维高频场第58-60页
   ·本章小结第60-61页
第五章 数值计算结果与分析第61-72页
   ·波导第61-63页
   ·螺旋线慢波结构第63-67页
   ·耦合腔慢波结构第67-71页
   ·本章小结第71-72页
第六章 全文总结第72-74页
致谢第74-75页
参考文献第75-78页
攻硕期间取得的研究成果第78-79页

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