复合型硅基场发射阵列阴极研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·场致发射的研究进程 | 第9-10页 |
| ·场致发射阵列阴极原理 | 第10-12页 |
| ·场发射阵列的实际运用 | 第12-17页 |
| ·在显示方面的应用 | 第12-15页 |
| ·在行波管中的应用 | 第15-16页 |
| ·在传感器中的应用 | 第16-17页 |
| ·课题研究意义 | 第17-18页 |
| ·本论文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 场致发射理论 | 第19-25页 |
| ·金属表面电子发射机理 | 第19-20页 |
| ·金属的场发射理论 | 第20-23页 |
| ·FEA 发射材料选择标准 | 第23-25页 |
| 第三章 复合硅基场发射阵列的制备工艺 | 第25-52页 |
| ·场发射阵列制备设计 | 第25-34页 |
| ·场发射阵列制备工艺流程 | 第25页 |
| ·材料的选用 | 第25-31页 |
| ·硅的氧化工艺 | 第31页 |
| ·半导体光刻工艺 | 第31-34页 |
| ·场发射阵列阴极的制作 | 第34-51页 |
| ·基底硅片的选择 | 第34-37页 |
| ·绝缘层氧化工艺和栅极薄膜制作工艺 | 第37-38页 |
| ·硅片的光刻 | 第38-39页 |
| ·硅片的清洗 | 第39-41页 |
| ·刻蚀空腔 | 第41-44页 |
| ·牺牲层工艺 | 第44-47页 |
| ·尖锥阵列制备工艺 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 复合型硅基场发射阵列阴极的测试 | 第52-56页 |
| ·三极管结构制作 | 第52-53页 |
| ·阴极的测试 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 影响发射性能因素的分析 | 第56-65页 |
| ·影响电流密度的因素 | 第56-60页 |
| ·尖锥不完全 | 第56-57页 |
| ·尖锥脱落 | 第57-59页 |
| ·阴极的氧化 | 第59-60页 |
| ·影响发射稳定性的因素 | 第60-63页 |
| ·栅极脱落 | 第60-62页 |
| ·阴栅极部分短路 | 第62-63页 |
| ·尖锥凸起和毛刺 | 第63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| ·本文的主要工作总结 | 第65页 |
| ·下一步工作建议 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 个人简介 | 第74页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第74-75页 |
