缩略语 | 第7-9页 |
表目录 | 第9-10页 |
图目录 | 第10-14页 |
摘要 | 第14-16页 |
ABSTRACT | 第16-17页 |
第一章 前言 | 第18-31页 |
1.1 陶瓷先驱体转化技术简述 | 第18-21页 |
1.2 微流控芯片简述 | 第21-27页 |
1.2.1 微流控芯片的研究背景 | 第21-23页 |
1.2.2 微流控芯片的研究现状 | 第23-24页 |
1.2.3 微流控芯片中的材料学问题 | 第24-25页 |
1.2.4 陶瓷先驱体技术在微流控芯片中的应用情况 | 第25-27页 |
1.3 光固化技术简述 | 第27-29页 |
1.4 论文选题依据与研究内容 | 第29-31页 |
第二章 实验及表征方法 | 第31-44页 |
2.1 原材料及试剂 | 第31-32页 |
2.2 PVSZ的化学改性实验 | 第32-34页 |
2.2.1 实验装置图 | 第32-33页 |
2.2.2 MBMA与PVSZ的反应 | 第33页 |
2.2.3 EBC与PVSZ的反应 | 第33页 |
2.2.4 BEI与PVSZ的反应 | 第33-34页 |
2.2.5 IEM与PVSZ的反应 | 第34页 |
2.3 微流控构件的制作 | 第34-41页 |
2.3.1 PDMSO模板的制作 | 第34-36页 |
2.3.2 紫外光刻蚀法制作微流控构件 | 第36-37页 |
2.3.3 微压印紫外刻蚀法制作微流控构件 | 第37-38页 |
2.3.4 双光子吸收三维立体刻蚀法 | 第38-39页 |
2.3.5 微化学反应器的制作 | 第39-41页 |
2.4 分析测试方法 | 第41-44页 |
2.4.1 结构表征 | 第41-42页 |
2.4.2 光固化性能表征 | 第42-44页 |
第三章 卤代化合物与聚硅氮烷的反应 | 第44-61页 |
3.1 MBMA与PVSZ的反应 | 第44-51页 |
3.1.1 化学反应机理分析 | 第44-48页 |
3.1.2 光固化性能测试 | 第48-50页 |
3.1.3 陶瓷产率 | 第50-51页 |
3.2 EBC与PVSZ的反应 | 第51-57页 |
3.2.1 化学反应条件的探索 | 第51-52页 |
3.2.2 化学反机理分析 | 第52-55页 |
3.2.3 光固化性能测试 | 第55-56页 |
3.2.4 陶瓷产率 | 第56-57页 |
3.3 其它卤代化合物与PVSZ的反应 | 第57-59页 |
3.3.1 AC和CC与PVSZ的反应 | 第57-58页 |
3.3.2 CPA和BMPA与PVSZ的反应 | 第58-59页 |
3.4 本章小结 | 第59-61页 |
第四章 异氰酸酯与聚硅氮烷的反应 | 第61-77页 |
4.1 BEI与PVSZ的反应 | 第62-69页 |
4.1.1 化学反应条件的探索 | 第62-65页 |
4.1.2 化学反应机理分析 | 第65-68页 |
4.1.3 光固化性能测试 | 第68-69页 |
4.1.4 陶瓷产率 | 第69页 |
4.2 IEM与PVSZ的反应 | 第69-74页 |
4.2.1 化学反应条件的探索 | 第69-70页 |
4.2.2 化学反应机理分析 | 第70-72页 |
4.2.3 光固化性能测试 | 第72-73页 |
4.2.4 陶瓷产率 | 第73-74页 |
4.3 IDPI与PVSZ的反应 | 第74-75页 |
4.4 本章小结 | 第75-77页 |
第五章 光固化聚硅氮烷的应用 | 第77-95页 |
5.1 四种改性聚硅氮烷陶瓷先驱体的对比分析 | 第77-78页 |
5.2 紫外光刻蚀 | 第78-82页 |
5.2.1 非接触式紫外光刻蚀 | 第80-81页 |
5.2.2 接触式紫外光刻蚀 | 第81-82页 |
5.3 微压印法紫外光刻蚀 | 第82-85页 |
5.4 双光子吸收立体刻蚀 | 第85-90页 |
5.5 微化学反应器 | 第90-92页 |
5.6 微化学反应器中微流体行为的初步探索 | 第92-94页 |
5.7 本章小结 | 第94-95页 |
第六章 结论 | 第95-98页 |
参考文献 | 第98-108页 |
致谢 | 第108-109页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第109页 |