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聚硅氮烷陶瓷先驱体的光固化改性研究

缩略语第7-9页
表目录第9-10页
图目录第10-14页
摘要第14-16页
ABSTRACT第16-17页
第一章 前言第18-31页
    1.1 陶瓷先驱体转化技术简述第18-21页
    1.2 微流控芯片简述第21-27页
        1.2.1 微流控芯片的研究背景第21-23页
        1.2.2 微流控芯片的研究现状第23-24页
        1.2.3 微流控芯片中的材料学问题第24-25页
        1.2.4 陶瓷先驱体技术在微流控芯片中的应用情况第25-27页
    1.3 光固化技术简述第27-29页
    1.4 论文选题依据与研究内容第29-31页
第二章 实验及表征方法第31-44页
    2.1 原材料及试剂第31-32页
    2.2 PVSZ的化学改性实验第32-34页
        2.2.1 实验装置图第32-33页
        2.2.2 MBMA与PVSZ的反应第33页
        2.2.3 EBC与PVSZ的反应第33页
        2.2.4 BEI与PVSZ的反应第33-34页
        2.2.5 IEM与PVSZ的反应第34页
    2.3 微流控构件的制作第34-41页
        2.3.1 PDMSO模板的制作第34-36页
        2.3.2 紫外光刻蚀法制作微流控构件第36-37页
        2.3.3 微压印紫外刻蚀法制作微流控构件第37-38页
        2.3.4 双光子吸收三维立体刻蚀法第38-39页
        2.3.5 微化学反应器的制作第39-41页
    2.4 分析测试方法第41-44页
        2.4.1 结构表征第41-42页
        2.4.2 光固化性能表征第42-44页
第三章 卤代化合物与聚硅氮烷的反应第44-61页
    3.1 MBMA与PVSZ的反应第44-51页
        3.1.1 化学反应机理分析第44-48页
        3.1.2 光固化性能测试第48-50页
        3.1.3 陶瓷产率第50-51页
    3.2 EBC与PVSZ的反应第51-57页
        3.2.1 化学反应条件的探索第51-52页
        3.2.2 化学反机理分析第52-55页
        3.2.3 光固化性能测试第55-56页
        3.2.4 陶瓷产率第56-57页
    3.3 其它卤代化合物与PVSZ的反应第57-59页
        3.3.1 AC和CC与PVSZ的反应第57-58页
        3.3.2 CPA和BMPA与PVSZ的反应第58-59页
    3.4 本章小结第59-61页
第四章 异氰酸酯与聚硅氮烷的反应第61-77页
    4.1 BEI与PVSZ的反应第62-69页
        4.1.1 化学反应条件的探索第62-65页
        4.1.2 化学反应机理分析第65-68页
        4.1.3 光固化性能测试第68-69页
        4.1.4 陶瓷产率第69页
    4.2 IEM与PVSZ的反应第69-74页
        4.2.1 化学反应条件的探索第69-70页
        4.2.2 化学反应机理分析第70-72页
        4.2.3 光固化性能测试第72-73页
        4.2.4 陶瓷产率第73-74页
    4.3 IDPI与PVSZ的反应第74-75页
    4.4 本章小结第75-77页
第五章 光固化聚硅氮烷的应用第77-95页
    5.1 四种改性聚硅氮烷陶瓷先驱体的对比分析第77-78页
    5.2 紫外光刻蚀第78-82页
        5.2.1 非接触式紫外光刻蚀第80-81页
        5.2.2 接触式紫外光刻蚀第81-82页
    5.3 微压印法紫外光刻蚀第82-85页
    5.4 双光子吸收立体刻蚀第85-90页
    5.5 微化学反应器第90-92页
    5.6 微化学反应器中微流体行为的初步探索第92-94页
    5.7 本章小结第94-95页
第六章 结论第95-98页
参考文献第98-108页
致谢第108-109页
作者在学期间取得的学术成果第109页

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