| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 图像传感器的辐射损伤研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.2 透明屏蔽材料研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 研究内容与技术路线 | 第17-19页 |
| 第2章 蒙特卡罗方法及CMOS图像传感器原理与辐照效应 | 第19-25页 |
| 2.1 蒙特卡罗方法 | 第19-20页 |
| 2.1.1 MCNP程序 | 第19页 |
| 2.1.2 GEANT4程序 | 第19-20页 |
| 2.2 CMOS图像传感器工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2.1 光电二极管工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 光电二极管暗电流处理方法 | 第22页 |
| 2.3 CMOS图像传感器的总剂量效应以及剂量率效应 | 第22-24页 |
| 2.3.1 剂量率效应 | 第22页 |
| 2.3.2 总剂量效应 | 第22-23页 |
| 2.3.3 剂量率效应与总剂量效应之间影响 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 射线对图像传感器光电二极管的影响分析及实验研究 | 第25-45页 |
| 3.1 GEANT4模型建立及辐照实验方案设计 | 第25-29页 |
| 3.1.1 GEANT4模型建立 | 第25-28页 |
| 3.1.2 辐照实验方案设计 | 第28-29页 |
| 3.2 γ 射线对光电二极管的辐照损伤模拟研究 | 第29-36页 |
| 3.2.1 沉积能分析 | 第30-33页 |
| 3.2.2 产生沉积能位置对光电二极管的影响 | 第33-36页 |
| 3.3 电子对光电二极管的辐射损伤模拟研究 | 第36-37页 |
| 3.3.1 电子与物质相互作用 | 第36页 |
| 3.3.2 GEANT4模拟结果与分析 | 第36-37页 |
| 3.4 γ 射线对图像传感器的辐照损伤实验 | 第37-43页 |
| 3.4.1 实验数据处理 | 第38页 |
| 3.4.2 辐照前测试 | 第38-39页 |
| 3.4.3 实验结果与分析 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 图像传感器光电二极管的抗辐射加固分析 | 第45-55页 |
| 4.1 模拟屏蔽加固材料的选择 | 第45-46页 |
| 4.2 γ 射线对光电二极管屏蔽的模拟分析 | 第46-50页 |
| 4.2.1 MCNP模型建立 | 第46-47页 |
| 4.2.2 模拟参数设置 | 第47页 |
| 4.2.3 模拟结果与分析 | 第47-50页 |
| 4.3 电子对光电二极管屏蔽的韧致辐射模拟分析 | 第50-54页 |
| 4.3.1 GEANT4模型建立 | 第51-52页 |
| 4.3.2 模拟参数设置 | 第52页 |
| 4.3.3 模拟结果与分析 | 第52-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-59页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
