基于局部加热的聚合物微流控通道引导自封闭方法研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 插图清单 | 第12-14页 |
| 表格清单 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 微流控芯片的研究背景及应用 | 第15-19页 |
| 1.2.1 微流控芯片研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2.2 微流控芯片的应用 | 第16-19页 |
| 1.3 微流控芯的基本特征 | 第19-20页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 沟槽微结构图形加工技术 | 第22-33页 |
| 2.1 干涉光学曝光技术 | 第22-23页 |
| 2.2 低压化学气相沉积(LPCVD) | 第23-24页 |
| 2.3 单晶硅的各项异性腐蚀 | 第24-27页 |
| 2.3.1 单晶硅晶体结构 | 第24-25页 |
| 2.3.2 硅湿法腐蚀机理 | 第25-27页 |
| 2.4 紫外固化纳米压印技术(UV—NIL) | 第27-28页 |
| 2.5 热压纳米压印技术(HE—NIL) | 第28-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 高深宽比PMMA沟槽微结构的制备 | 第33-51页 |
| 3.1 实验方案的确定 | 第33-35页 |
| 3.2 实验材料与设备 | 第35-37页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第35-36页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第36-37页 |
| 3.3 实验步骤 | 第37-41页 |
| 3.3.1 高深宽比硅模板的制备 | 第37-38页 |
| 3.3.2 制备PUA沟槽微结构模板 | 第38-39页 |
| 3.3.3 制备PMMA的沟槽微结构图形 | 第39-41页 |
| 3.4 试验结果与讨论 | 第41-49页 |
| 3.4.1 湿法腐蚀过程分析 | 第41-44页 |
| 3.4.2 PUA模板制备过程分析 | 第44-48页 |
| 3.4.3 热压纳米压印过程分析 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 局部加热引导自封闭技术制备PMMA微通道 | 第51-62页 |
| 4.1 局部加热引导自封闭技术原理 | 第51-52页 |
| 4.2 实验设备和步骤 | 第52-53页 |
| 4.2.1 实验设备 | 第52页 |
| 4.2.2 实验步骤 | 第52-53页 |
| 4.3 顶部加热模型模型 | 第53-55页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.4.1 硅片与基片间接触角度对实验的影响 | 第55-57页 |
| 4.4.2 PMMA微通道尺寸控制 | 第57-58页 |
| 4.4.3 基片移动速度对实验的影响 | 第58-59页 |
| 4.4.4 PMMA沟槽微结构模板的方向性 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第62-63页 |
| 5.2 实验的创新点 | 第63-64页 |
| 5.3 实验的不足与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第71页 |
