| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 阻变随机存储器（RRAM）简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 忆阻器简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 新型存储器的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变随机存储器（RRAM）的研究进展 | 第12-18页 |
| 1.3.1 阻变随机存储器（RRAM）基础 | 第12-14页 |
| 1.3.2 阻变随机存储器（RRAM）的物理机制 | 第14-16页 |
| 1.3.3 国内外在该方向的研究现状及分析 | 第16-18页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)多晶靶材与非晶薄膜的制备 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)多晶靶材的制备 | 第21-22页 |
| 2.3 YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)薄膜的制备及物相分析 | 第22-32页 |
| 2.3.1 脉冲激光沉积技术原理 | 第22-23页 |
| 2.3.2 YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)薄膜的制备 | 第23-24页 |
| 2.3.3 STO/SRO/YFCO薄膜的XRD测试及分析 | 第24-25页 |
| 2.3.4 STO /YFCO的TEM及ICP测试 | 第25-27页 |
| 2.3.5 STO/SRO/YFCO的XPS结果及分析 | 第27-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)薄膜阻变特性研究 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 SRO/YFCO/Pt阻变式随机存储器的制备 | 第34-36页 |
| 3.3 SRO/YFCO/Pt阻变式随机存储器特性研究 | 第36-41页 |
| 3.3.1 SRO/YFCO/Pt双极性阻变特性研究 | 第36-38页 |
| 3.3.2 SRO/YFCO/Pt单极性阻变特性研究 | 第38-41页 |
| 3.4 SRO/YFCO/Pt阻变存储器解决串扰电流的研究 | 第41-45页 |
| 3.5 Nb:SrTiO_3/YFCO/Pt阻变式随机存储器特性研究 | 第45-47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 氧空位浓度对YFe_(0.5)Cr_(0.5)O_(3-x)阻变特性的影响 | 第49-61页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 不同氧分压下制备的YFCO阻变特性研究 | 第49-53页 |
| 4.2.1 1Pa氧分压下制备的YFCO阻变特性研究 | 第49-51页 |
| 4.2.2 0.1Pa氧分压下制备的YFCO阻变特性研究 | 第51-52页 |
| 4.2.3 0.01Pa氧分压下制备的YFCO阻变特性研究 | 第52-53页 |
| 4.3 氧空位浓度对YFCO阻变特性的影响 | 第53-55页 |
| 4.4 SRO/YFCO/Pt存储器的电阻转变机理 | 第55-58页 |
| 4.4.1 空间电荷限制电流(SCLC)模型 | 第55-56页 |
| 4.4.2 YFCO薄膜高低阻态导电机制分析 | 第56-58页 |
| 4.5 SRO/YFCO/Pt阻变存储器器件性能测试 | 第58-59页 |
| 4.6 SRO/YFCO/Pt阻变存储器的导电细丝模型 | 第59-60页 |
| 4.7 本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
