摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-11页 |
1.1.1 课题背景 | 第9-10页 |
1.1.2 课题研究的目的及意义 | 第10-11页 |
1.2 基于光学手段的带电激子研究进展 | 第11-14页 |
1.3 基于电化学手段的带电激子研究进展 | 第14-17页 |
1.3.1 三电极系统简介 | 第14-15页 |
1.3.2 电注入下带电激子实验进展 | 第15-17页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
第2章 CdSe/ZnS量子点薄膜的制备与研究方案 | 第18-25页 |
2.1 光注入下时间分辨光谱实验方案 | 第18-21页 |
2.1.1 时间分辨荧光原理与单光子计数系统(TCSPC) | 第18-19页 |
2.1.2 光注入实验的样品和光路 | 第19-21页 |
2.2 电注入下样品制备与电化学表征 | 第21-22页 |
2.2.1 样品制备 | 第21-22页 |
2.2.2 循环伏安法 | 第22页 |
2.3 电注入下的光谱测量系统 | 第22-24页 |
2.3.1 三电极恒压系统的搭建 | 第22-23页 |
2.3.2 光谱测量手段 | 第23-24页 |
2.4 本章小结 | 第24-25页 |
第3章 光注入下带电激子光谱特性研究 | 第25-32页 |
3.1 CdSe/ZnS量子点溶液和薄膜变光注入下的动力学分析 | 第25-28页 |
3.1.1 量子点溶液的单波长动力学曲线 | 第25-27页 |
3.1.2 量子点薄膜的单波长动力学曲线 | 第27-28页 |
3.2 CdSe/ZnS量子点薄膜的时间分辨荧光光谱 | 第28-30页 |
3.3 CdSe/ZnS量子点薄膜的稳态荧光谱 | 第30-31页 |
3.4 本章小结 | 第31-32页 |
第4章 电注入下带电激子光谱特性研究 | 第32-55页 |
4.1 CdSe/ZnS量子点薄膜的电注入表征 | 第32-36页 |
4.1.1 循环伏安测试 | 第32-33页 |
4.1.2 吸收漂白实验 | 第33-36页 |
4.2 CdSe/ZnS量子点薄膜电注入下的光谱测试 | 第36-44页 |
4.2.1 加压下的荧光光谱红移分析 | 第36-41页 |
4.2.2 变电压下荧光光谱的整体平衡过程 | 第41-44页 |
4.3 调控电注入下的CdSe/ZnS量子点薄膜光谱实验 | 第44-53页 |
4.3.1 负偏压下荧光光谱的蓝移特性研究 | 第44-49页 |
4.3.2 电子和空穴同时注入条件下带电激子的形成及演化规律 | 第49-53页 |
4.4 本章小结 | 第53-55页 |
结论 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-63页 |
致谢 | 第63页 |