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CdSe/ZnS量子点薄膜中带电激子光谱特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第9-11页
        1.1.1 课题背景第9-10页
        1.1.2 课题研究的目的及意义第10-11页
    1.2 基于光学手段的带电激子研究进展第11-14页
    1.3 基于电化学手段的带电激子研究进展第14-17页
        1.3.1 三电极系统简介第14-15页
        1.3.2 电注入下带电激子实验进展第15-17页
    1.4 本文的主要研究内容第17-18页
第2章 CdSe/ZnS量子点薄膜的制备与研究方案第18-25页
    2.1 光注入下时间分辨光谱实验方案第18-21页
        2.1.1 时间分辨荧光原理与单光子计数系统(TCSPC)第18-19页
        2.1.2 光注入实验的样品和光路第19-21页
    2.2 电注入下样品制备与电化学表征第21-22页
        2.2.1 样品制备第21-22页
        2.2.2 循环伏安法第22页
    2.3 电注入下的光谱测量系统第22-24页
        2.3.1 三电极恒压系统的搭建第22-23页
        2.3.2 光谱测量手段第23-24页
    2.4 本章小结第24-25页
第3章 光注入下带电激子光谱特性研究第25-32页
    3.1 CdSe/ZnS量子点溶液和薄膜变光注入下的动力学分析第25-28页
        3.1.1 量子点溶液的单波长动力学曲线第25-27页
        3.1.2 量子点薄膜的单波长动力学曲线第27-28页
    3.2 CdSe/ZnS量子点薄膜的时间分辨荧光光谱第28-30页
    3.3 CdSe/ZnS量子点薄膜的稳态荧光谱第30-31页
    3.4 本章小结第31-32页
第4章 电注入下带电激子光谱特性研究第32-55页
    4.1 CdSe/ZnS量子点薄膜的电注入表征第32-36页
        4.1.1 循环伏安测试第32-33页
        4.1.2 吸收漂白实验第33-36页
    4.2 CdSe/ZnS量子点薄膜电注入下的光谱测试第36-44页
        4.2.1 加压下的荧光光谱红移分析第36-41页
        4.2.2 变电压下荧光光谱的整体平衡过程第41-44页
    4.3 调控电注入下的CdSe/ZnS量子点薄膜光谱实验第44-53页
        4.3.1 负偏压下荧光光谱的蓝移特性研究第44-49页
        4.3.2 电子和空穴同时注入条件下带电激子的形成及演化规律第49-53页
    4.4 本章小结第53-55页
结论第55-57页
参考文献第57-63页
致谢第63页

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