| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 功率半导体器件概述 | 第11-14页 |
| 1.2 SOI技术简介 | 第14-15页 |
| 1.3 沟槽技术在功率LDMOS器件中的应用 | 第15-17页 |
| 1.4 超结技术简介 | 第17-19页 |
| 1.5 高K介质在功率MOS器件中的应用 | 第19-21页 |
| 1.6 本文主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 具有分离三栅和高K介质的SOI LDMOS器件研究 | 第23-40页 |
| 2.1 新结构的关键特点与工作机理 | 第23-28页 |
| 2.2 主要参数的仿真优化及设定 | 第28-32页 |
| 2.2.1 漂移区掺杂浓度 | 第28-30页 |
| 2.2.2 高K介质相对介电常数 | 第30-31页 |
| 2.2.3 器件参数的设定 | 第31-32页 |
| 2.3 新结构与其他结构的性能对比 | 第32-36页 |
| 2.4 工艺流程设计 | 第36-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 具有双栅和超低阻电流通道的LDMOS器件研究 | 第40-49页 |
| 3.1 结构特征和工作机理 | 第40-43页 |
| 3.2 器件参数的仿真优化设计 | 第43-45页 |
| 3.2.1 N/P条掺杂浓度 | 第43-44页 |
| 3.2.2 高K介质的相对介电常数 | 第44-45页 |
| 3.2.3 器件的参数设定 | 第45页 |
| 3.3 新器件与其他结构的性能对比 | 第45-46页 |
| 3.4 器件的工艺实现 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 具有多积累层的横向功率MOS器件研究 | 第49-61页 |
| 4.1 结构特征与机理分析 | 第49-53页 |
| 4.2 关键参数的优化设计 | 第53-56页 |
| 4.2.1 高K介质与埋氧层的距离 | 第54页 |
| 4.2.2 高K介质的相对介电常数 | 第54-55页 |
| 4.2.3 漂移区掺杂浓度 | 第55-56页 |
| 4.2.4 器件的参数设定 | 第56页 |
| 4.3 新器件与其他结构的对比 | 第56-58页 |
| 4.4 器件的工艺制造流程 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |