| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究进展 | 第10-12页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第12-15页 |
| 第2章 HEMT器件温升测量技术 | 第15-23页 |
| 2.1 热阻的基本概念 | 第15页 |
| 2.2 电学法测量HEMT器件热阻 | 第15-20页 |
| 2.2.1 电学法测量HEMT器件热阻的基本原理 | 第15-16页 |
| 2.2.2 温度系数的测量 | 第16-17页 |
| 2.2.3 温敏参数的测量 | 第17-18页 |
| 2.2.4 结构函数法分析热阻构成 | 第18-20页 |
| 2.3 红外法测量器件温升原理 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 热阻测试匹配电路的设计和测量 | 第23-33页 |
| 3.1 微波阻抗理论及器件自激振荡 | 第23-25页 |
| 3.1.1 微波传输理论 | 第23-24页 |
| 3.1.2 阻抗匹配理论 | 第24页 |
| 3.1.3 自激振荡类型及产生原因 | 第24-25页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的压振电路设计 | 第25-29页 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件压振电路 | 第26-28页 |
| 3.2.2 实验测试结果讨论 | 第28-29页 |
| 3.3 GaAs MMIC器件的压振电路设计 | 第29-32页 |
| 3.3.1 GaAs MMIC器件压振电路 | 第30-31页 |
| 3.3.2 实验测试结果讨论 | 第31-32页 |
| 3.4 避免电路自激几种途径 | 第32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 不同工作状态对器件热阻的影响 | 第33-49页 |
| 4.1 不同工作状态对HEMT稳态热阻的影响 | 第33-41页 |
| 4.1.1 实验芯片的选取 | 第33-34页 |
| 4.1.2 实验平台的搭建 | 第34-36页 |
| 4.1.3 不同工作状态下的热阻测量 | 第36-39页 |
| 4.1.4 实验结果讨论 | 第39-41页 |
| 4.2 红外热像法测量器件表面温度分布 | 第41-42页 |
| 4.3 瞬态热阻及温升轨迹测量方法 | 第42-47页 |
| 4.3.1 瞬态热阻与稳态热阻 | 第42-43页 |
| 4.3.2 测量HEMT器件多次脉冲瞬态温升轨迹的基本原理 | 第43-44页 |
| 4.3.3 测量的软件实现方法 | 第44-45页 |
| 4.3.4 实际测量结果与讨论 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 ISE-TCAD软件模拟实验 | 第49-57页 |
| 5.1 ISE软件简介 | 第49-50页 |
| 5.2 物理模型 | 第50-52页 |
| 5.2.1 漂移-扩散模型 | 第50-51页 |
| 5.2.2 载流子迁移率模型 | 第51-52页 |
| 5.2.3 产生复合模型 | 第52页 |
| 5.3 ISE软件模拟实验 | 第52-54页 |
| 5.3.1 设定物理模型及材料参数 | 第52页 |
| 5.3.2 器件模型的建立及网格划分 | 第52-53页 |
| 5.3.3 查看结果 | 第53-54页 |
| 5.4 仿真结果讨论 | 第54-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
