| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 铁电薄膜及铁电存储器简介 | 第12-19页 |
| 1.2.1 铁电薄膜简介 | 第12-14页 |
| 1.2.2 铁电存储器简介 | 第14-19页 |
| 1.3 多逻辑铁电存储器研究现状 | 第19-25页 |
| 1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第25-28页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第25页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第25-28页 |
| 第二章 PZT铁电可翻转二极管的存储研究 | 第28-41页 |
| 2.1 引言 | 第28页 |
| 2.2 铁电可翻转二极管的存储原理 | 第28-30页 |
| 2.2.1 界面势垒高度调制效应 | 第28-30页 |
| 2.2.2 界面势垒厚度调制效应 | 第30页 |
| 2.3 PZT铁电可翻转二极管的制备 | 第30-33页 |
| 2.4 PZT铁电可翻转二极管的性能及导电机制分析 | 第33-39页 |
| 2.4.1 PZT铁电可翻转二极管的铁电性能 | 第33-35页 |
| 2.4.2 PZT铁电可翻转二极管的开关性能 | 第35-36页 |
| 2.4.3 PZT铁电可翻转二极管的导电机制 | 第36-39页 |
| 2.5 小结 | 第39-41页 |
| 第三章 PZT铁电忆阻器的多逻辑态存储研究 | 第41-56页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 PZT铁电忆阻器的制备及结构表征 | 第41-43页 |
| 3.3 PZT铁电忆阻器的存储性能 | 第43-51页 |
| 3.3.1 Ag/PZT/Pt铁电忆阻器的存储性能 | 第43-48页 |
| 3.3.2 Ag/PZT/Si铁电忆阻器的存储性能 | 第48-51页 |
| 3.4 PZT铁电忆阻器的存储原理及物理模型 | 第51-54页 |
| 3.5 小结 | 第54-56页 |
| 第四章 ZMO/PZT复合薄膜器件的多逻辑态存储研究 | 第56-68页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 ZMO/PZT复合薄膜的制备和结构表征 | 第56-58页 |
| 4.2.1 复合薄膜的制备 | 第56-57页 |
| 4.2.2 复合薄膜的结构表征 | 第57-58页 |
| 4.3 ZMO/PZT复合薄膜多逻辑态存储性能 | 第58-64页 |
| 4.3.1 ZMO和PZT单层薄膜存储单元的存储性能 | 第58-62页 |
| 4.3.2 ZMO/PZT复合膜存储单元的存储性能 | 第62-64页 |
| 4.4 ZMO/PZT复合薄膜存储单元多逻辑态存储机理及物理模型 | 第64-66页 |
| 4.5 小结 | 第66-68页 |
| 第五章 n-硅基PZT铁电隧道结的多逻辑态存储研究 | 第68-88页 |
| 5.1 引言 | 第68-70页 |
| 5.2 n-硅基PZT铁电隧道结的制备和结构表征 | 第70-71页 |
| 5.3 n-硅基PZT铁电隧道结的多逻辑态存储性能 | 第71-77页 |
| 5.3.1 n-硅基PZT铁电隧道结的铁电性能 | 第71-72页 |
| 5.3.2 n-硅基PZT铁电隧道结的存储性能 | 第72-77页 |
| 5.4 n-硅基PZT铁电隧道结多逻辑态存储机理及物理模型 | 第77-86页 |
| 5.4.1 铁电极化参与阻变行为的验证研究 | 第79-82页 |
| 5.4.2 氧空位迁移参与阻变行为的验证研究 | 第82-83页 |
| 5.4.3 多逻辑态PZT铁电隧道结存储的物理模型 | 第83-86页 |
| 5.5 小结 | 第86-88页 |
| 第六章 n-硅基BFO铁电隧道结的多逻辑态存储研究 | 第88-103页 |
| 6.1 引言 | 第88页 |
| 6.2 n-硅基BFO铁电隧道结的制备和结构表征 | 第88-92页 |
| 6.3 n-硅基BFO铁电隧道结的多逻辑态存储性能 | 第92-96页 |
| 6.3.1 n-硅基BFO超薄膜的铁电性能 | 第92-94页 |
| 6.3.2 n-硅基BFO铁电隧道结的存储性能 | 第94-96页 |
| 6.4 多逻辑态BFO铁电隧道结的存储机理及数值计算 | 第96-101页 |
| 6.5 小结 | 第101-103页 |
| 第七章 总结与展望 | 第103-107页 |
| 7.1 论文总结 | 第103-105页 |
| 7.2 工作展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第121页 |
