| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 微纳加工技术概述 | 第12-13页 |
| 1.2 平面加工工艺 | 第13-14页 |
| 1.3 刻蚀方法与工艺 | 第14-16页 |
| 1.3.1 干法刻蚀工艺 | 第14-15页 |
| 1.3.2 金属辅助湿法刻蚀 | 第15-16页 |
| 1.4 湿法刻蚀研究的意义 | 第16页 |
| 1.5 课题的主要内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-24页 |
| 第二章 硅的平面光波导微加工 | 第24-42页 |
| 2.1 集成电路平面工艺技术 | 第24页 |
| 2.2 硅的微加工平面工艺 | 第24-25页 |
| 2.3 图形的设计与掩模板的制造 | 第25-28页 |
| 2.3.1 光刻图形设计软件的发展 | 第25页 |
| 2.3.2 图案设计 | 第25-27页 |
| 2.3.3 光刻掩模板的制作 | 第27-28页 |
| 2.3.4 掩模板的使用与清洗 | 第28页 |
| 2.4 光刻胶性能的研究 | 第28-30页 |
| 2.4.1 光刻胶概述 | 第28-29页 |
| 2.4.2 AZ5214光刻胶简介 | 第29-30页 |
| 2.5 实验过程及结果讨论 | 第30-33页 |
| 2.5.1 实验所需物品准备 | 第30页 |
| 2.5.2 匀胶转速和胶厚的关系 | 第30-31页 |
| 2.5.3 前烘后烘的温度对光刻图形的影响 | 第31页 |
| 2.5.4 曝光时间与显影时间对图案的影响 | 第31-33页 |
| 2.6 干法刻蚀工艺参数研究 | 第33-38页 |
| 2.6.1 刻蚀工艺 | 第33页 |
| 2.6.2 反应离子刻蚀(RIE)与感应耦合等离子刻蚀(ICP) | 第33-34页 |
| 2.6.3 干法刻蚀的参数 | 第34-36页 |
| 2.6.4 最佳工艺参数选择 | 第36-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第三章 金属辅助湿法刻蚀工艺 | 第42-70页 |
| 3.1 金属辅助湿法刻蚀概述 | 第42-43页 |
| 3.2 金属辅助湿法刻蚀原理 | 第43-45页 |
| 3.2.1 碱法腐蚀 | 第43-44页 |
| 3.2.2 酸法刻蚀 | 第44-45页 |
| 3.3 常用的腐蚀液 | 第45-46页 |
| 3.4 基于模板制造的金属辅助湿法刻蚀 | 第46-50页 |
| 3.4.1 基于阳极氧化铝模板的湿法刻蚀 | 第47-48页 |
| 3.4.2 基于纳米球作模板的金属辅助法 | 第48-49页 |
| 3.4.3 基于嵌段共聚物作为掩模板的湿法刻蚀 | 第49-50页 |
| 3.5 基于光刻胶掩模的金属辅助湿法刻蚀 | 第50-52页 |
| 3.5.1 实验设计 | 第50-51页 |
| 3.5.2 实验材料准备 | 第51-52页 |
| 3.6 制备工艺 | 第52-58页 |
| 3.6.1 掩模图案设计 | 第52-53页 |
| 3.6.2 金属的镀膜方式 | 第53-55页 |
| 3.6.3 图案的转移 | 第55-58页 |
| 3.7 金属膜厚度对湿法腐蚀反应的影响 | 第58-61页 |
| 3.7.1 沉积金属类型对催化反应的影响 | 第58-59页 |
| 3.7.2 金属的膜厚和形貌对催化反应的影响 | 第59-61页 |
| 3.8 湿法腐蚀中溶液中组分的比例对速率的影响 | 第61-64页 |
| 3.9 其他因素对湿法腐蚀的影响 | 第64-65页 |
| 3.10 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 第四章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 4.1 总结 | 第70-71页 |
| 4.2 展望 | 第71-72页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |