| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 Ge/Si核/壳结构简介 | 第11-13页 |
| 1.2.1 Ge/Si核/壳结构研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2.2 Ge/Si核/壳结构研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 分子器件简介 | 第13-16页 |
| 1.3.1 分子器件背景 | 第13-14页 |
| 1.3.2 分子器件研究进展及现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文研究目的和结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 理论基础及计算方法 | 第17-28页 |
| 2.1 第一性原理概述 | 第17-18页 |
| 2.2 Born-Oppenheimr绝热近似 | 第18-19页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第19-22页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 Kohn-sham方程 | 第20-21页 |
| 2.3.3 交换相关泛函 | 第21-22页 |
| 2.4 非平衡格林函数法 | 第22-24页 |
| 2.5 开放体系自洽计算 | 第24-27页 |
| 2.6 计算软件介绍 | 第27-28页 |
| 2.6.1 VASP | 第27页 |
| 2.6.2 Nanodcal | 第27-28页 |
| 第三章 Ge/Si核/壳结构长度对的其量子输运特性的影响 | 第28-40页 |
| 3.1 引言 | 第28-29页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第29-30页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第30-31页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第31-39页 |
| 3.3.1 电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）曲线 | 第31-32页 |
| 3.3.2 透射谱（Transmission） | 第32-35页 |
| 3.3.3 态密度（DOS） | 第35-39页 |
| 3.4 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 游离氨基酸分子修饰Ge/Si核/壳结构的量子输运特性研究 | 第40-50页 |
| 4.1 引言 | 第40-41页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第41-43页 |
| 4.2.1 计算模型 | 第41-42页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第42-43页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第43-49页 |
| 4.3.1 电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）曲线 | 第43-44页 |
| 4.3.2 透射谱（Transmission） | 第44-46页 |
| 4.3.3 态密度（DOS） | 第46-48页 |
| 4.3.4 布局（Mulliken） | 第48-49页 |
| 4.4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 电离氨基酸分子修饰Ge/Si核/壳结构的量子输运特性研究 | 第50-61页 |
| 5.1 引言 | 第50-51页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第51-52页 |
| 5.2.1 计算模型 | 第51页 |
| 5.2.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第52-59页 |
| 5.3.1 电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）曲线 | 第52-53页 |
| 5.3.2 透射谱（Transmission） | 第53-55页 |
| 5.3.3 态密度（DOS） | 第55-58页 |
| 5.3.4 布局(Mulliken) | 第58-59页 |
| 5.4 小结 | 第59-61页 |
| 第六章 本文总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 本文总结 | 第61页 |
| 6.2 工作展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
