WLAN高增益可调中继放大器的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 低噪声放大器的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 功率放大器的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本文的研究内容和章节安排 | 第14-16页 |
| 第2章 射频放大器理论基础 | 第16-38页 |
| 2.1 传输线理论 | 第16-20页 |
| 2.1.1 传输线等效电路 | 第16-17页 |
| 2.1.2 史密斯圆图 | 第17-20页 |
| 2.2 射频器件基础知识 | 第20-26页 |
| 2.2.1 射频放大管基础 | 第20-23页 |
| 2.2.2 射频无源器件特性 | 第23-26页 |
| 2.3 放大器指标基础知识 | 第26-37页 |
| 2.3.1 噪声系数 | 第27-28页 |
| 2.3.2 稳定性 | 第28-30页 |
| 2.3.3 增益以及增益平坦度 | 第30-32页 |
| 2.3.4 电压驻波比 | 第32-33页 |
| 2.3.5 输出功率和效率 | 第33-35页 |
| 2.3.6 交调失真 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 低噪声放大器的设计 | 第38-58页 |
| 3.1 HEMT低噪声放大器设计 | 第38-54页 |
| 3.1.1 晶体管和板材的选择 | 第38-39页 |
| 3.1.2 直流仿真和偏置电路的设计 | 第39-40页 |
| 3.1.3 稳定性分析 | 第40-42页 |
| 3.1.4 输入输出匹配设计 | 第42-46页 |
| 3.1.5 第二级低噪放设计 | 第46-49页 |
| 3.1.6 两级级联仿真 | 第49-51页 |
| 3.1.7 版图联合仿真与制作 | 第51-54页 |
| 3.2 MMIC低噪声放大器设计 | 第54-56页 |
| 3.2.1 芯片选择 | 第54-55页 |
| 3.2.2 原理图设计 | 第55-56页 |
| 3.2.3 版图制作 | 第56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 功率放大器的设计 | 第58-82页 |
| 4.1 HEMT功率放大器设计 | 第58-75页 |
| 4.1.1 晶体管与板材的选择 | 第58-59页 |
| 4.1.2 直流仿真和偏置电路的设计 | 第59-61页 |
| 4.1.3 稳定性分析 | 第61-63页 |
| 4.1.4 源牵引与负载牵引 | 第63-66页 |
| 4.1.5 输入输出匹配设计 | 第66-68页 |
| 4.1.6 S参数仿真 | 第68-69页 |
| 4.1.7 HB仿真 | 第69-71页 |
| 4.1.8 版图联合仿真与制作 | 第71-75页 |
| 4.2 集成功率放大器设计 | 第75-78页 |
| 4.2.1 芯片选择 | 第75-76页 |
| 4.2.2 原理图设计 | 第76-77页 |
| 4.2.3 版图制作 | 第77-78页 |
| 4.3 数控衰减器设计 | 第78-81页 |
| 4.3.1 芯片选择 | 第78页 |
| 4.3.2 原理图设计 | 第78-80页 |
| 4.3.3 版图制作 | 第80-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第5章 射频模块的加工与测试 | 第82-94页 |
| 5.1 低噪声放大器的加工与测试 | 第83-88页 |
| 5.1.1 HEMT低噪声放大器的加工与测试 | 第83-85页 |
| 5.1.2 MMIC低噪声放大器的加工与测试 | 第85-88页 |
| 5.2 功率放大器的加工与测试 | 第88-91页 |
| 5.2.1 HEMT功率放大器的加工与测试 | 第88-90页 |
| 5.2.2 集成功率放大器的加工与测试 | 第90-91页 |
| 5.3 数控衰减器的加工与测试 | 第91-93页 |
| 5.4 本章小结 | 第93-94页 |
| 第6章 总结和展望 | 第94-96页 |
| 6.1 总结 | 第94页 |
| 6.2 展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
| 作者简介 | 第102页 |
