| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题背景介绍 | 第9-10页 |
| ·氧化钒薄膜的应用领域 | 第10-17页 |
| ·非制冷红外探测器 | 第11-14页 |
| ·光开关及光存储 | 第14-16页 |
| ·氧化钒薄膜在太赫兹领域的应用 | 第16-17页 |
| ·本论文的研究意义、目的、内容 | 第17-19页 |
| 第二章 氧化钒的理化性质与制备技术 | 第19-40页 |
| ·氧化钒的晶体结构与性质 | 第19-24页 |
| ·五氧化二钒(V_20_5) | 第20-21页 |
| ·二氧化钒(V0_2) | 第21-23页 |
| ·三氧化二钒(V_20_3) | 第23-24页 |
| ·氧化钒薄膜的电阻温度系数 | 第24-25页 |
| ·V0_2 的相变特性及理论 | 第25-31页 |
| ·氧化钒薄膜的制备方法 | 第31-35页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第31-32页 |
| ·溅射镀膜 | 第32-34页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第34页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第34-35页 |
| ·氧化钒薄膜电学、光学测试方法 | 第35-37页 |
| ·电学特性测试 | 第35-36页 |
| ·氧化钒薄膜傅立叶变换红外光谱测试 | 第36-37页 |
| ·氧化钒薄膜太赫兹波段开关特性测试 | 第37页 |
| ·氧化钒薄膜的分析与表征 | 第37-40页 |
| ·X 射线衍射法(XRD) | 第38页 |
| ·X 射线光电子能谱法(XPS) | 第38-39页 |
| ·扫描电子显微镜法(SEM)与原子力显微镜法(AFM) | 第39-40页 |
| 第三章 金属热氧化法制备氧化钒薄膜 | 第40-49页 |
| ·氧化钒薄膜的制备 | 第40-42页 |
| ·氧化钒薄膜电学性能测试分析 | 第42-44页 |
| ·氧化钒薄膜理化分析 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 磁控溅射结合快速热处理制备氧化钒薄膜 | 第49-70页 |
| ·磁控反应溅射制备氧化钒薄膜 | 第49-52页 |
| ·氧化钒薄膜化学组分分析 | 第52-55页 |
| ·氧化钒薄膜快速热处理与相变特性 | 第55-58页 |
| ·相变氧化钒薄膜组分及结晶状态分析 | 第58-61页 |
| ·氧化钒热致相变热力学讨论 | 第61-64页 |
| ·变温快速热处理工艺研究 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 双离子束溅射制备氧化钒薄膜 | 第70-79页 |
| ·具有相变特性的氧化钒薄膜制备 | 第70-75页 |
| ·双离子束溅射沉积氧化钒薄膜 | 第70-72页 |
| ·氮气环境热处理 | 第72-75页 |
| ·红外光学测试 | 第75-77页 |
| ·氧化钒薄膜红外光学相变特性 | 第75-77页 |
| ·氧化钒薄膜傅立叶红外光谱信息 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 氧化钒薄膜在太赫兹波段的开关特性研究 | 第79-104页 |
| ·硅基氧化钒薄膜太赫兹光开关 | 第79-96页 |
| ·硅衬底制备氧化钒薄膜 | 第79-81页 |
| ·氧化钒薄膜化学组分 | 第81-83页 |
| ·氧化钒薄膜相变激励方式研究 | 第83页 |
| ·氧化钒制备工艺对开关特性的影响 | 第83-88页 |
| ·氧化钒光开关开关速度测试 | 第88-91页 |
| ·氧化钒光开关插入损耗分析 | 第91-92页 |
| ·氧化钒太赫兹频谱特性研究 | 第92-96页 |
| ·激励光功率对氧化钒薄膜透射率的影响 | 第96页 |
| ·Si0_2 衬底氧化钒光开关制备 | 第96-101页 |
| ·Si0_2衬底上制备氧化钒薄膜 | 第97页 |
| ·真空热处理对氧化钒薄膜开关特性的改善 | 第97-101页 |
| ·太赫兹时域频谱与傅立叶变换红外光谱的比较 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 总结展望 | 第104-106页 |
| ·全文总结 | 第104-105页 |
| ·本文创新点 | 第105页 |
| ·工作展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-114页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115页 |