GaAs基双势垒超晶格量子阱RTD器件研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·纳米半导体材料 | 第9-10页 |
| ·RTD的基本特点 | 第10-11页 |
| ·MBE技术 | 第11页 |
| ·RTD的研究背景以及现状 | 第11-13页 |
| ·关于RTD单管的研究 | 第11-12页 |
| ·RTD在电路方面的研究 | 第12-13页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 RTD概述 | 第15-25页 |
| ·RTD的材料介绍 | 第15-16页 |
| ·RTD的基本结构及工作原理 | 第16-19页 |
| ·RTD的电流和电压 | 第19-20页 |
| ·RTD的电流 | 第19-20页 |
| ·RTD的电压 | 第20页 |
| ·RTD的两种隧穿物理模型 | 第20-22页 |
| ·RTD的隧穿模式特征 | 第22页 |
| ·RTD的电荷积累效应 | 第22-23页 |
| ·RTD的参数 | 第23-25页 |
| 第三章 对称双势垒RTD直流特性研究 | 第25-43页 |
| ·Atlas中模拟GaAs共振隧穿二极管的方法 | 第25-26页 |
| ·GaAs共振隧穿二极管的器件结构及建模 | 第26-30页 |
| ·一维有限深势阱 | 第26-27页 |
| ·单势垒隧穿 | 第27-28页 |
| ·双势垒隧穿 | 第28-30页 |
| ·GaAs共振隧穿二极管的透射几率仿真 | 第30-34页 |
| ·材料结构参数对RTD直流特性的影响 | 第34-42页 |
| ·势阱宽度对电学特性的影响 | 第34-36页 |
| ·势垒宽度对电学特性的影响 | 第36-38页 |
| ·掺杂浓度对电学特性的影响 | 第38-39页 |
| ·Al组分对电学特性的影响 | 第39-42页 |
| ·面向MVL设计应用的RTD器件参数窗 | 第42-43页 |
| 第四章 非对称结构的RTD特性的研究 | 第43-59页 |
| ·非对称结构的器件建模与能带结构 | 第43-46页 |
| ·求解薛定谔方程 | 第44-45页 |
| ·建立输入输出的传递矩阵 | 第45-46页 |
| ·非对称结构的仿真与验证 | 第46-52页 |
| ·非对称RTD结构透射系数仿真 | 第46-49页 |
| ·非对称结构的RTD直流特性与材料结构参数的仿真 | 第49-52页 |
| ·非对称结构的正反特性分析 | 第52-57页 |
| ·对称结构的特性 | 第52-53页 |
| ·非对称结构的正反特性 | 第53-57页 |
| ·AlGaAs/GaAs非对称RTD器件的制作 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 附录 | 第64页 |
