| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-13页 |
| 1 绪论 | 第13-23页 |
| ·III-V 族半导体纳米线的发展和应用 | 第13-15页 |
| ·III-V 族半导体纳米线的生长技术 | 第15-18页 |
| ·模板导向生长 | 第15-16页 |
| ·自由站立生长 | 第16-18页 |
| ·MBE 中 III-V 族纳米线的 Au 催化外延生长 | 第18-20页 |
| ·III-V 族半导体纳米线材料制备的挑战 | 第20-21页 |
| ·本论文的内容纲要 | 第21-23页 |
| 2 实验技术简介 | 第23-35页 |
| ·分子束外延技术 | 第23-27页 |
| ·MBE 技术的优势 | 第24-25页 |
| ·本实验室的 MBE 系统 | 第25-26页 |
| ·III-V 族半导体纳米线的生长工艺 | 第26-27页 |
| ·电子显微技术 | 第27-32页 |
| ·扫描电子显微（SEM）技术 | 第28-30页 |
| ·透射电子显微（TEM）技术 | 第30-32页 |
| ·光谱测试技术 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 GaAs 纳米线的外延生长及物性研究 | 第35-53页 |
| ·GaAs 纳米线外延生长的具体工艺 | 第36-37页 |
| ·GaAs 纳米线的分子束外延生长 | 第37-42页 |
| ·生长温度对 GaAs 纳米线形貌的影响 | 第37-40页 |
| ·V/III 束流比对 GaAs 纳米线形貌的影响 | 第40-42页 |
| ·不同生长条件下 GaAs 纳米线的晶体结构 | 第42-45页 |
| ·不同生长温度下 GaAs 纳米线晶体结构的区别 | 第42-45页 |
| ·不同 V/III 束流比下 GaAs 纳米线晶体结构的区别 | 第45页 |
| ·GaAs 纳米线的荧光光谱特性 | 第45-50页 |
| ·GaAs 纳米线的非本征激发 | 第46-47页 |
| ·GaAs 纳米线自由激子峰的变温研究 | 第47-49页 |
| ·GaAs 纳米线时间分辨荧光光谱的研究 | 第49-50页 |
| ·GaAs 纳米线的拉曼光谱特性 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 GaAs-AlGaAs 芯-壳纳米线的外延生长及物性研究 | 第53-65页 |
| ·GaAs-AlGaAs 芯-壳纳米线的分子束外延生长 | 第53-54页 |
| ·GaAs-AlGaAs 芯-壳纳米线的形貌特性 | 第54-56页 |
| ·GaAs-AlGaAs 芯-壳纳米线的晶体结构及壳层的 Al 组分分布 | 第56-60页 |
| ·GaAs-AlGaAs 芯-壳纳米线的荧光光谱特性 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 5 Bi 元素对 GaAs 纳米线生长的调控作用 | 第65-79页 |
| ·实验过程 | 第66-67页 |
| ·纳米线形貌 | 第67-68页 |
| ·纳米线的晶体结构 | 第68-72页 |
| ·机理分析 | 第72-77页 |
| ·本章总结 | 第77-79页 |
| 6 InAs 纳米线的异质外延生长研究 | 第79-93页 |
| ·InAs 纳米线异质外延生长的工艺窗口 | 第80-84页 |
| ·实验过程 | 第80页 |
| ·InAs 纳米线生长的温度窗口 | 第80-82页 |
| ·InAs 纳米线生长的 V/III 束流比窗口 | 第82-84页 |
| ·InAs 纳米线的晶体结构及 Au 催化剂尺寸对其的影响 | 第84页 |
| ·不同晶向的 GaAs 衬底上生长 InAs 纳米线的形貌特征 | 第84-87页 |
| ·Au 催化剂尺寸对 InAs 纳米线晶体结构的调控 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-93页 |
| 7 总结与展望 | 第93-97页 |
| ·论文总结 | 第93-95页 |
| ·后续展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-115页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第115-116页 |
