| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·太阳能电池概述 | 第9-11页 |
| ·CIS类太阳能电池的发展 | 第11-15页 |
| ·CIS类太阳能电池的发展 | 第11-12页 |
| ·CIS类太阳能电池的构成 | 第12-15页 |
| ·CIS类薄膜太阳能电池的吸收层与缓冲层材料 | 第15-21页 |
| ·CIS类薄膜材料 | 第15-19页 |
| ·CdS薄膜材料 | 第19-20页 |
| ·ZnS薄膜材料 | 第20-21页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第21-23页 |
| ·问题的提出 | 第21页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第21-23页 |
| 第二章 材料制备及表征 | 第23-43页 |
| ·样品制备 | 第23-38页 |
| ·VEMF法制备CIAS吸收层薄膜 | 第23-26页 |
| ·IFTUMS技术制备CIAS吸收层薄膜 | 第26-31页 |
| ·CBD法制备CdS缓冲层薄膜 | 第31-35页 |
| ·CBD法制备ZnS缓冲层薄膜 | 第35-37页 |
| ·场发射TEM薄膜样品的制备 | 第37-38页 |
| ·样品表征 | 第38-43页 |
| ·检测薄膜厚度 | 第38-39页 |
| ·SEM薄膜表面形貌及成分分析 | 第39页 |
| ·薄膜物相分析 | 第39-40页 |
| ·TEM选区成像、衍射、衍衬及成分分析 | 第40页 |
| ·薄膜的XPS分析 | 第40-41页 |
| ·检测薄膜的光电性能 | 第41-43页 |
| 第三章 铜铟铝硒(CIAS)薄膜研究结果及讨论 | 第43-72页 |
| ·VEMF法及后硒化技术制备CIAS薄膜的研究 | 第43-52页 |
| ·CIAS薄膜硒化前后性能分析 | 第43-47页 |
| ·Al的相对含量对CIAS薄膜性能的影响 | 第47-51页 |
| 小结 | 第51-52页 |
| ·IFTUMS技术制备CIAS薄膜性能的研究结果及分析 | 第52-62页 |
| ·薄膜硒化前(CIA)后(CIAS)性能分析 | 第52-58页 |
| ·Al的相对含量对CIAS薄膜性能的影响 | 第58-62页 |
| 小结 | 第62页 |
| ·PVE法薄膜的成膜过程及机理讨论 | 第62-71页 |
| ·VEMF法制备CIAS薄膜的过程及成膜机理讨论 | 第62-68页 |
| ·IFTUMS技术制备CIAS薄膜的过程及成膜机理讨论 | 第68-71页 |
| 本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 缓冲层CdS、ZnS薄膜性能的研究结果及讨论 | 第72-122页 |
| ·CdS薄膜性能的研究结果及分析 | 第72-94页 |
| ·CdS薄膜TEM与XPS分析 | 第72-77页 |
| ·CdS薄膜工艺过程对性能的影响 | 第77-93页 |
| 小结 | 第93-94页 |
| ·ZnS薄膜性能的研究结果与分析 | 第94-116页 |
| ·ZnS薄膜TEM与XPS分析 | 第94-100页 |
| ·ZnS薄膜工艺过程对性能的影响 | 第100-116页 |
| 小结 | 第116页 |
| ·CBD法薄膜的成膜过程及机理讨论 | 第116-120页 |
| ·化学水浴反应原理 | 第116-118页 |
| ·CdS薄膜成膜过程及机理讨论 | 第118-119页 |
| ·ZnS薄膜成膜过程及机理讨论 | 第119-120页 |
| 本章小结 | 第120-122页 |
| 结论 | 第122-124页 |
| 创新点摘要 | 第124-125页 |
| 展望 | 第125-126页 |
| 参考文献 | 第126-131页 |
| 致谢 | 第131-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第132-133页 |
