基于SOI的600V NLDMOS器件结构设计及特性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·课题背景 | 第10-14页 |
| ·体硅功率器件 | 第14-15页 |
| ·SOI 功率器件 | 第15-19页 |
| ·SOI 技术概述 | 第16-17页 |
| ·SOI 功率器件研究 | 第17-19页 |
| ·本文主要工作 | 第19页 |
| ·本论文的结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 SOI 高压器件及线性变惨杂技术 | 第21-39页 |
| ·PN 结击穿机理 | 第21-24页 |
| ·RESURF 原理 | 第24-29页 |
| ·体硅 RESURF 原理 | 第24-25页 |
| ·SOI RESURF 原理 | 第25-29页 |
| ·薄层 SOI 线性变惨杂技术 | 第29-35页 |
| ·薄硅层高压 SOI 二极管 | 第29-32页 |
| ·线性变惨杂漂移区二极管仿真 | 第32-35页 |
| ·横向变惨杂解析模型 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 薄层 SOI 线性变惨杂高压器件特性分析 | 第39-53页 |
| ·器件工艺 TCAD 仿真 | 第39-44页 |
| ·漂移区线性掺杂分布 | 第39-42页 |
| ·漂移区厚场氧减薄设计 | 第42-43页 |
| ·与中低压器件融合的沟道区设计 | 第43-44页 |
| ·多晶硅与金属场板 | 第44页 |
| ·SOI 高压器件电学性能 | 第44-51页 |
| ·漂移区长度与浓度对器件特性的影响 | 第45-46页 |
| ·漂移区厚度对器件耐压和导通电阻的影响 | 第46-48页 |
| ·场板对器件耐压和导通电阻的影响 | 第48-49页 |
| ·器件开态特性 | 第49-50页 |
| ·阈值特性 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 薄层 SOI 线性变掺杂高压器件制备 | 第53-65页 |
| ·工艺流程设计 | 第53-57页 |
| ·版图设计 | 第57-60页 |
| ·实验结果及分析 | 第60-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
