金属源漏多晶硅TFT及非晶IGZO TFT的特性研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·面向平板显示的 TFT 简介 | 第9-13页 |
| ·TFT 在平板显示中的应用 | 第9-10页 |
| ·金属源漏多晶硅晶体管的技术背景与研究现状 | 第10-12页 |
| ·a-IGZO TFT 的研究现状 | 第12-13页 |
| ·实验样品制备、关键工艺及实验平台介绍 | 第13-20页 |
| ·实验样品制备 | 第13-17页 |
| ·关键工艺介绍 | 第17-19页 |
| ·实验平台介绍 | 第19-20页 |
| ·论文的结构安排 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 受肖特基势垒控制的传导模型 | 第24-34页 |
| ·金属替代结 TFT 温度特性分析 | 第24-29页 |
| ·受肖特基势垒控制的传导模型的建立 | 第29-31页 |
| ·基于肖特基势垒控制的传导模型的温度特性解释 | 第31-33页 |
| ·基于肖特基势垒控制的传导模型的温度特性定性解释 | 第31-32页 |
| ·基于肖特基势垒控制的传导模型的温度特性定量解释 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 势垒高度的掺杂调制效应分析 | 第34-47页 |
| ·自对准金属电极 TFT 传导特性分析 | 第34-37页 |
| ·势垒高度的掺杂调制效应分析 | 第37-45页 |
| ·势垒高度的掺杂调制效应 | 第37-40页 |
| ·势垒高度的掺杂调制效应对器件亚阈值区特性的影响 | 第40-41页 |
| ·势垒高度的掺杂调制效应对器件开态区特性的影响 | 第41-42页 |
| ·双掺杂的势垒高度调制效应 | 第42-43页 |
| ·肖特基势垒与沟道电阻 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 第四章 a-IGZO TFT 特性表征 | 第47-56页 |
| ·a-IGZO TFT 基本特性分析 | 第47-51页 |
| ·a-IGZO TFT IV 特性分析 | 第47-49页 |
| ·a-IGZO TFT CV 特性分析 | 第49-51页 |
| ·a-IGZO TFT 光照响应及恢复特性分析 | 第51-54页 |
| ·a-IGZO TFT 光照响应特性分析 | 第51-53页 |
| ·a-IGZO TFT 光照恢复特性分析 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第五章 总结及未来工作 | 第56-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
